1. 霍尔传感器封装图
灵敏度高
输出噪声低
功耗低
TO92 封装
方块霍尔设计消除机械压力效应
优良的温度特性
工作电压在 3.0-6.5 之间
工作温度范围：-40-100℃
霍尔传感器49E属于磁敏元件，根据感应磁场的强弱，输出电压会发生变化，常用来检测电流，检测磁场等。YS49E霍尔传感器有插件封装也有贴片封装，贴片主要是SOT-23小体积，3K/盘的包装形式，可以用于贴片机生产使用，效率高。
2. 霍尔传感器芯片电路图
一般的直插霍尔元件，如3144，管脚都是固定排列的，芯片印字面朝自己，三个管脚从左到右分别为：电源正，接地，输出。
一般接的是10K的上拉电阻，如单片机利用PWM信号控制直流电机调速接L298N时相应的管脚上最好接上10K的上拉电阻。
上拉电阻：
1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。
2、OC门电路必须加上拉电阻，才能使用。
3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。
5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。
6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。
7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。
上拉电阻阻值的选择原则包括:
1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大；电阻大，电流小。
2、从确保足够的驱动电流考虑应当足够小；电阻小，电流大。
3、对于高速电路，过大的上拉电阻可能边沿变平缓。综合考虑
以上三点,通常在1k到10k之间选取。对下拉电阻也有类似道理
对上拉电阻和下拉电阻的选择应结合开关管特性和下级电路的输入特性进行设定，主要需要考虑以下几个因素：
1． 驱动能力与功耗的平衡。以上拉电阻为例，一般地说，上拉电阻越小，驱动能力越强，但功耗越大，设计是应注意两者之间的均衡。
2． 下级电路的驱动需求。同样以上拉电阻为例，当输出高电平时，开关管断开，上拉电阻应适当选择以能够向下级电路提供足够的电流。
3． 高低电平的设定。不同电路的高低电平的门槛电平会有不同，电阻应适当设定以确保能输出正确的电平。以上拉电阻为例，当输出低电平时，开关管导通，上拉电阻和开关管导通电阻分压值应确保在零电平门槛之下。
4． 频率特性。以上拉电阻为例，上拉电阻和开关管漏源级之间的电容和下级电路之间的输入电容会形成RC延迟，电阻越大，延迟越大。上拉电阻的设定应考虑电路在这方面的需求。
下拉电阻的设定的原则和上拉电阻是一样的。
OC门输出高电平时是一个高阻态，其上拉电流要由上拉电阻来提供，设输入端每端口不大于100uA,设输出口驱动电流约500uA，标准工作电压是5V，输入口的高低电平门限为0.8V(低于此值为低电平)；2V(高电平门限值)。
选上拉电阻时：
500uA x 8.4K= 4.2即选大于8.4K时输出端能下拉至0.8V以下，此为最小阻值，再小就拉不下来了。如果输出口驱动电流较大，则阻值可减小，保证下拉时能低于0.8V即可。
当输出高电平时，忽略管子的漏电流，两输入口需200uA
200uA x15K=3V即上拉电阻压降为3V，输出口可达到2V，此阻值为最大阻值，再大就拉不到2V了。选10K可用。COMS门的可参考74HC系列
设计时管子的漏电流不可忽略，IO口实际电流在不同电平下也是不同的，上述仅仅是原理，一句话概括为：输出高电平时要喂饱后面的输入口，输出低电平不要把输出口喂撑了（否则多余的电流喂给了级联的输入口，高于低电平门限值就不可靠了）
3. 集成霍尔传感器由霍尔元件
霍尔效应传感器的三个要素是
1-霍尔半导体元件
2-永久磁铁
3-挡隔磁力线的叶片
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
4. 霍尔传感器外壳厂
国外的有 德国易福门 德国莱姆 国外价格普遍高，国内的性价比还是挺好的 国内的有 南京托肯 绵阳维博 四川都睿感控
5. 霍尔元件传感器
霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。
霍尔元件在各种应用条件下所选用的原则：
1.磁场测量。如果对被测磁场精度要求较高，如优于±0.5%，那么通常选用砷化镓霍尔元件，其灵敏度高，约为5~10mv/100mt，温度误差可忽略不计，且材料性能好，可做的体积较小。如果对被测磁场精度较低且对体积要求不高，如精度低于±0.5%时，最好选用硅和锗雹尔元件。
2.电流测量。大部分霍尔元件可以用于电流测量，要求精度较高时，选用砷化镓霍尔元件，精度不高时可选用砷化镓、硅、锗等霍尔元件。
3.信号的运算和测量。通常利用霍尔电势与控制电流、被测磁场成正比，并与被测磁场同霍尔元件表面的夹角成正弦关系的特性，制造函数发生器。利用霍尔元件输出与控制电流和被测磁场乘积成正比的特性，制造功率表、电度表等。
4.拉力和压力测量。选用霍尔件制成的传感器较其它材料制成的阵感器灵敏度和线性度更佳。
5.转速和脉冲测量。测量转速和脉冲时，通常是选用集成霍尔开关和锑化铟霍尔元件。如在录像机和摄像机中采用了锑铟霍尔元件替代电机的电刷，可以大大提高了使用寿命。
6. 霍尔传感芯片
1、电机的霍尔是一个半导体传感器，在洛仑兹力的作用下，电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移，使该片侧向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。
2、霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。
3、电机中，一个转动的磁钢作为控制磁通量的开关，当磁钢离霍尔集成电路较近时，霍尔电压大（开），磁场偏离集成片，霍尔电压消失（关）。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出轴处在某一位置，利用这一工作原理，可控制电机转动。
7. 霍尔传感器模块原理图
因为霍尔传感器本身是磁场和霍尔元件之间由于磁性交替变化二产生的脉冲信号变化。两者之间通常会设有遮光元件，能够在变化过程中间断的影响到两者之间的磁通量，有磁场照射霍尔元件导通，反之霍尔元件截止，不断的交替变化引起了脉冲的信号变化。
8. 霍尔传感器贴片
1、手感是N4x好点， N4x虽然大 但显的薄多了，但颜值是4好，金属一体化后盖上档次2、摄像头，N4x是好一点，就一点，后置是Sony imx258摄像头，和小米5splus同款，4的摄像头就不提了，一个字渣3、续航，4好4、流畅度，两者差不多5、屏幕 感觉4好一点，4屏幕比较透彻6、三键 N4x有灯，这一点是亮点，很少出现4那种触摸失灵，也不是失灵，就是盲按有时在黑暗中碰不到返回键符号7、充电速度，4是2小时10分，N4X是2小时半8、N4x 网络支持 b8 电信用户以后可以用800m lte9、通话、WIFI都差不多，N4X略好一些声音比较清晰，估计是用了三段式上下两块塑料贴片、信号增强的缘故10、N4X支持霍尔感应器，可以配智能唤醒翻盖保护套