高速pin光电探测器(PIN探测器)

海潮机械 2023-01-12 15:20 编辑:admin 208阅读

1. PIN探测器

1, 半导体材料

由于硅半导体耐高电压、耐高温、晶带宽度大,比其它半导体材料有体积小、效率高、寿命长、可靠性强等优点,因此被广泛用于电子工业集成电路的生产中。高纯的单晶硅是重要的半导体材料。

在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成P型硅半导体另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路(包括我们计算机内的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。

2, 太阳能光伏电池板

多晶硅可以直接用于制造太阳能光伏电池板,或加工成单晶硅后再用于制造光伏电池板。先将硅料铸锭、切片或直接用单晶硅棒切片,

再通过在硅片上掺杂和扩散形成PN结,然后采用丝网印刷法,将银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面上涂减反射膜等一系列工艺加工成太阳能电池单体片,最后按需要组装成太阳能电池板。

目前,硅光伏电池占世界光伏电池总产量的98% 以上,其中多晶硅电池约占55% ,单晶硅电池约占36% ,其它硅材料电池约占70%。由于多晶硅光伏电池的制造成本较低,光电转换效率较高(接近20%),因而得到快速发展。[4]

3, 集成电路

这是将成千上万个分立的晶体体管、电阻、电容等元件,采用掩蔽、光刻、扩散等工艺,把它们集成一个或几个尺寸很小的晶片上,集结成一个以几个完够的电路。集成电路大大减小了体积、重量、引出线和焊点数目,并提高了电路性能和可靠性,同时降低了成本,便于批量生产,使计算机工业飞速发展。

4, 探测器

由对光照敏感的PN结或PIN结构成的光生伏打型的探测器。PIN结不是突变的PN结,而是在结的P和N侧之间加入本征区I层。

该结构的光照表面(如P)区做得较薄,使入射光进入本征区而被吸收,产生空穴-电子对。本征区的强电场使载流子快速飘移,通过本征区。因此,PIN结相同材料的PN结构相比,其响应时间更短。

5,传感器

硅的传感器有压阻传感器,它是将压力转化为电信号。硅片受外力作用时晶格形变,使得电阻率改变。热敏电阻,利用硅的负温度系数效应,当温度升高时,载流子浓度增加,使得电阻率下降。

硅还可用于光敏传感器和磁敏传感器等。

晶体硅材料是最主要的光伏材料,性质为带有金属光泽的灰黑色固体、熔点高、硬度大、有脆性、常温下化学性质不活泼。其市场占有率在 90%以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。

2. pin探测器和APD探测器

是由发光二极管LED或注入型激光二极管ILD发出光信号沿光媒体传播,在另一端则有PIN或APD光电二极管作为检波器接收信号。

对光载波的调制为移幅键控法,又称亮度调制(Intensity Modulation)。典型的做法是在给定的频率下,以光的出现和消失来表示两个二进制数字。

发光二极管LED和注入型激光二极管ILD的信号都可以用这种方法调制,PIN和ILD检波器直接响应亮度调制。

功率放大:将光放大器置于光发送端之前,以提高入纤的光功率。使整个线路系统的光功率得到提高。在线中继放大:建筑群较大或楼间距离较远时,可起中继放大作用,提高光功率。前置放大:在接收端的光电检测器之后将微信号进行放大,以提高接收能力。

3. pin探测器优势

1.拍频法,这种方法传统正规。需要吧你的激光器和已知频率的标准激光器拍频,光电探测器PIN接受放大,接频率计。从而测量频差,然后根据已知标准频率和频差算出你激光器的频率。优点,精度高,通常能到0.1kHz是激光频率计量领域的规定方法。缺点:无法直接测量出绝对频率,而是通过频差算出。且测量频差不能与标准激光器频率相差太大。一般在1GHz以下。

2.光梳,光梳是一套频率链,可以连接微波频标和光学基准,通过把你的激光锁在光梳上,可以测出你的激光绝对频率,并溯源。优点:直接测量频率,方便。缺点:技术比较先进,设备很难找到,我只知道计量院事可以的。

4. pin探测器灵敏度

sct2260中文的资料如下

sct2260是一种漏电保护集成电路。 [Features] temperature range (ambient temperature -20 ℃ ~ 80 ℃) Temperature characteristics Input sensitivity (typical value Vt = 8mV) External components High anti-interference ability and impact resistance Low power consumption (typical 5mW) 110V ~ 220V voltage can be used [Package] SIP-8Pin single in-line package [特点]温度范围(环境温度为-20℃〜80℃)

温度特性 输入灵敏度(典型值Vt =对应8mV) 外部元件 高抗干扰能力和耐冲击性 低功耗(典型的5MW)110V〜220V电压可用于 [包装] SIP-8PIN单直插式封装

5. pin探测器价格

三安光电上市时间:1996年5月28日,发行价:7.58元。

简介:

三安光电有限公司,承担着国家“863”重大课题,拥有国家级博士后科研工作站及国家级企业技术中心。公司坐落于厦门国际会展中心北侧,占地面积5万平方米,是一座现代化花园式工厂。

公司主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片,化合物太阳能电池、PIN光电探测器芯片等的研发、生产与销售,产品性能指标居国际先进水平。公司以打造拥有独立自主知识产权的民族高科技企业为已任,以创建国际一流企业为愿景。拥有1000级到10000级的现代化洁净厂房,千余台(套)国内外最先进的LED外延生长和芯片制造设备,在天津三安三期扩产完毕之时,MOCVD总数将达到100台以上,其规模为国内第一名,国际前十名。已实现年产外延片65万片,芯片200亿粒的生产规模。

6. pin探测器阵列芯片

Pd不是信号。

pd是一种快充协议,全名“USB Power Delivery”。

USB-PD 是由 USB-IF 组织制定的一种快速充电规范,是目前主流的快充协议之一。 USB-PD 快充协议是以 Type-C 接口输出的,但不能说有 Type-C 接口就一定支持 USB-PD 协议快充。

USB-PD 快充协议可以透过 USB 电缆和连接器增加电力的输送,扩展USB应用中的电缆总线供电能力,从而达到提高充电电压或电流的目的,并且可以自由改变电力的输送方向。

Type-C 接口默认最大支持 15W (5V/3A),但是在实现了 USB-PD 协议以后,能够使输出功率最大支持到 100W (20V/5A)。所以现在许多实用 Type-C 接口的设备都会支持 USB PD 协议。

7. pin探测器封装

1, 半导体材料

由于硅半导体耐高电压、耐高温、晶带宽度大,比其它半导体材料有体积小、效率高、寿命长、可靠性强等优点,因此被广泛用于电子工业集成电路的生产中。高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成P型硅半导体另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路(包括我们计算机内的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。

2, 太阳能光伏电池板

多晶硅可以直接用于制造太阳能光伏电池板,或加工成单晶硅后再用于制造光伏电池板。先将硅料铸锭、切片或直接用单晶硅棒切片,再通过在硅片上掺杂和扩散形成PN结,然后采用丝网印刷法,将银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面上涂减反射膜等一系列工艺加工成太阳能电池单体片,最后按需要组装成太阳能电池板。目前,硅光伏电池占世界光伏电池总产量的98% 以上,其中多晶硅电池约占55% ,单晶硅电池约占36% ,其它硅材料电池约占70%。由于多晶硅光伏电池的制造成本较低,光电转换效率较高(接近20%),因而得到快速发展。[4]

3, 集成电路

这是将成千上万个分立的晶体体管、电阻、电容等元件,采用掩蔽、光刻、扩散等工艺,把它们集成一个或几个尺寸很小的晶片上,集结成一个以几个完够的电路。集成电路大大减小了体积、重量、引出线和焊点数目,并提高了电路性能和可靠性,同时降低了成本,便于批量生产,使计算机工业飞速发展。

4, 探测器

由对光照敏感的PN结或PIN结构成的光生伏打型的探测器。PIN结不是突变的PN结,而是在结的P和N侧之间加入本征区I层。该结构的光照表面(如P)区做得较薄,使入射光进入本征区而被吸收,产生空穴-电子对。本征区的强电场使载流子快速飘移,通过本征区。因此,PIN结相同材料的PN结构相比,其响应时间更短。

5,传感器

硅的传感器有压阻传感器,它是将压力转化为电信号。硅片受外力作用时晶格形变,使得电阻率改变。热敏电阻,利用硅的负温度系数效应,当温度升高时,载流子浓度增加,使得电阻率下降。

硅还可用于光敏传感器和磁敏传感器等。