1. 芯片中的二极管
真正意义上的“二极管”元件，在当前的电脑内部非常少，仅在电源盒里供电部分存在，很少的。广意的“二极管”，在芯片中拥有极多，那称之为数字电路，而且是超大规模的，成千上万过亿。它们极小的存在于封装于一个一个小黑片中，你是看不到它们的
2. 芯片内部二极管的作用
74hc20是4输入端双与非门芯片。该与非门采用micro－cmos工艺，即3.5微米硅栅P阱CMOS，达到与sttI门相同的运转速度和标准cmos集成电路的低功耗。器件具有高抗干扰性和驱动10个LSttl负载的能力。全部输入都用内部二极管箍位至Ⅴcc和地作保护。
3. 集成电路中的二极管
IC是指集成电路，CPD为光电二极管的寄生电路;BGA为集成电路采用的一种封装法;二极管为半导体器件，是分立元件，保险管为防止短路的一种元件，也是分立元件。所以CPD,BGA,二极管，保险管都不属于IC,只有BGA是IC的一种封装形式
4. 芯片里的二极管
二极管接在芯片引脚上开关作用。
5. 芯片中的二极管怎么生产的
二极管部是PN结、材料一般是硅或者锗。没有芯片，二极管又称晶体二极管。
6. 芯片的二极管特性
二极管参数
普通发光二极管的正向饱和压降为１．６Ｖ～２．１Ｖ, 正向工作电流为５～２０ｍＡ
LED的特性
1．极限参数的意义
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。
（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。
2．电参数的意义
(1)正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。
(2)正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。
(3)V-I特性：发光二极管的电压与电流的关系
在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。由V-I曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下。
LED的分类
1． 按发光管发光颜色分
按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿）、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。
根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。
2． 按发光管出光面特征分
按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm
7. 二极管是芯片概念吗
二极管里面没有黄金，三极管里面是一块硅片，外部引脚是锌合金的，在塑料封装的外壳里面，把硅片的相应触点引到引脚上用的导线就是金线，纯度99.9%，不过量很少，线也只有1um粗，极细极细。通常镀金是为了提升电路与电子元件的导电性能，减少电阻，所以对应的精密设备上的电路板通常都会有镀金？
8. 芯片中的二极管是怎么放进去的
1)闭合清洗剂液槽，恒温后确认清洗剂液槽液温为60±5℃；
2)闭合本镀金槽加热器电源，给相应药液升温；确认本镀液槽液温为60～65℃；闭合电镀用电源；
3)将待镀金硅叠装上专用夹具；
4)脱脂：确认清洗剂液槽液温为60±5℃，将夹具置于清洗剂中浸泡5±1min；
5)水洗：将夹具在纯水槽中冲洗25s，并用手不断上下摆动夹具；
6)酸洗：将夹具在盐酸槽中浸泡60±5s；
7)水洗：将夹具置于纯水槽中冲洗25s；
8)预镀：将夹具置于预镀液槽中，电镀25s；控制电镀电源电压为3.35±0.01v；
9)本镀：确认本镀液槽液温为60～65℃，将夹具置于本镀槽中，本镀2.0±0.5min,调整电镀电源电流为0.6±0.1a，电镀电压不定；
10)后处理：将夹具依次转入两级水洗槽中，每级水槽各清洗25s；
11)脱水干燥：将夹具转入甲醇槽，浸泡60s；然后置于红外线烘箱中，干燥5min。
上述第6)步中酸洗，酸洗溶液是盐酸溶液，按盐酸：水＝1：9比例配制5升，4.5l水中注入盐酸500ml。
所述的清洗剂溶液是按清洗剂原液：水＝3：100比例配制13l，称取清洗剂原液390g，置于13l的水中；用玻璃棒搅拌，直至清洗剂完全溶化。
上述第8)步中预镀，预镀金液是按柠檬酸钠：柠檬酸：氰化金钾：水＝30：5：1：500比例配制，配15l，即在15l纯水中，加入柠檬酸钠900g，柠檬酸150g，氰化金钾30g；配成的预镀金液比重为1.02～1.07，ph值为5～7。
上述第9)步中本镀，本镀金液是按柠檬酸钠：柠檬酸：氰化金钾：水＝150：100：42：2500比例配制镀金液15l，即每升纯水加柠檬酸钠60g，柠檬酸40g，氰化金钾16.8g配制；配成的镀金液比重为1.04～1.10，ph值为4～6。
本发明的优点是工艺简单完善，一次合金后的硅叠采用电镀的方法镀上一层薄薄的金层，金与铅锡焊片之间合金浸润性(远优于原来表面镍层)好，可有效提高二次焊接后焊接强度；原硅叠二次合金后表面焊片易产生球化(熔化过度显现疤痕)，而电镀金硅叠二次合金后表面平整均一。未镀金硅叠后道组装烧结合格率96.6％，而镀金后的组装烧结合格率则达到99.2％。
具体实施方式
实施工艺：
一、配制溶液
1.盐酸溶液
按盐酸：水＝1：9比例配制5升(4.5l水中注入盐酸500ml)。
2.清洗剂溶液
按清洗剂原液：水＝3：100比例配制13l(称取清洗剂原液390g，置于13l的水中)。用玻璃棒搅拌，直至清洗剂完全溶化。
3.预镀金液
按柠檬酸钠：柠檬酸：氰化金钾：水＝30：5：1：500比例配制，配15l(即在15l纯水中，加入柠檬酸钠900g，柠檬酸150g，氰化金钾30g)。配成的预镀金液比重为1.02～1.07，ph值为5～7。
4.镀金液
按柠檬酸钠：柠檬酸：氰化金钾：水＝150：100：42：2500比例配制镀金液15l。(即每升纯水加柠檬酸钠60g，柠檬酸40g，氰化金钾16.8g配制)。配成的镀金液比重为1.04～1.10，ph值为4～6。
二、正式操作
1.闭合清洗剂液槽，恒温后确认清洗剂液槽液温为(60±5)℃。
2.闭合本镀金槽加热器电源，给相应药液升温。确认本镀液槽液温为(60～65)℃。闭合电镀用电源。
3.将待镀金硅叠(一次合金后)装上专用夹具(以下合称“夹具”)。
4.脱脂。确认清洗剂液槽液温为(60±5)℃，将夹具置于清洗剂中浸泡(5±1)min。
5.水洗。将夹具在纯水槽中冲洗25s，并用手不断上下摆动夹具。
6.酸洗。将夹具在盐酸槽中浸泡(60±5)s。
7.水洗。将夹具置于纯水槽中冲洗25s。
8.预镀。将夹具置于预镀液槽中，电镀25s。控制电镀电源电压为(3.35±0.01)v。
9.本镀。确认本镀液槽液温为(60～65)℃，将夹具置于本镀槽中，本(电)镀(2.0±0.5)min,调整电镀电源电流为(0.6±0.1)a，电镀电压不定。
10.后处理。将夹具依次转入两级水洗槽中，每级水槽各清洗25s。
11.脱水干燥。
9. 芯片中除了二极管还有什么
芯片内部都是半导体材料，大部份都是硅材料，里面的电容，电阻，二极管，三极管都是用半导体做出来的。半导体是介于像铜那样易于电流通过的导体和像橡胶那样的不导通电流的绝缘体之间的物质。以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序，但是仍具有单晶体的微观结构，因此具有许多特殊的性质。
10. 芯片是由二极管组成的么
半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。它具有体积小、寿命长的特点，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。 由于这些优点，半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面以及获得了广泛的应用。 激光器的发光原理 产生激光要满足以下条件： 一、粒子数反转； 二、要有谐振腔，能起到光反馈作用，形成激光振荡；形成形式多样，最简单的是法布里——帕罗谐振腔。 三、产生激光还必须满足阈值条件，也就是增益要大于总的损耗。 （1）满足一定的阀值条件。 为了形成稳定振荡，激光媒质必须能提供足够大的增益，以弥补谐振腔引起的光损耗及从腔面的激光输出等引起的损耗，不断增加腔内的光场。这就必须要有足够强的电流注人，即有足够的粒子数反转，粒子数反转程度越高，得到的增益就越大，即要求必须满足一定的电流阀值条件。当激光器达到阀值时，具有特定波长的光就能在腔内谐振并被放大，最后形成激光而连续地输出。 （2）谐振腔，能起到光反馈作用，形成激光振荡。 要实际获得相干受激辐射，必须使受激辐射在光学谐振腔内得到多次反馈而形成激光振荡，激光器的谐振腔是由半导体晶体的自然解理面作为反射镜形成的，通常在不出光的那一端镀上高反多层介质膜，而出光面镀上减反膜。 对F－P腔（法布里—拍罗腔）半导体激光器可以很方便地利用晶体的与P－N结平面相垂直的自然解理面构成F－P 腔。 （3）增益条件： 建立起激射媒质（有源区）内载流子的反转分布。在半导体中代表电子能量的是由一系列接近于连续的能级所组成的能带，因此在半导体中要实现粒子数反转，必须在两个能带区域之间，处在高能态导带底的电子数比处在低能态价带顶的空穴数大很多，这靠给同质结或异质结加正向偏压，向有源层内注人必要的载流子来实现，将电子从能量较低的价带激发到能量较高的导带中去。当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。 半导体激光器特性 半导体激光器是以半导体材料为工作物质的一类激光器件。它诞生于1962年，除了具有激光器的共同特点外，还具有以下优点： （1） 体积小，重量轻； （2） 驱动功率和电流较低； （3） 效率高、工作寿命长； （4） 可直接电调制； （5） 易于与各种光电子器件实现光电子集成； （6） 与半导体制造技术兼容；可大批量生产。 由于这些特点，半导体激光器自问世以来得到了世界各国的广泛关注与研究。成为世界上发展最快、应用最广泛、最早走出实验室实现商用化且产值最大的一类激光器。 半导体激光器工作原理 半导体激光器工作原理是激励方式，利用半导体物质（即利用电子）在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈，产生光的辐射放大，输出激光。 半导体激光器是依靠注入载流子工作的，发射激光必须具备三个基本条件： （1）要产生足够的 粒子数反转分布，即高能态粒子数足够的大于处于低能态的粒子数； （2）有一个合适的谐振腔能够起到反馈作用，使受激辐射光子增生，从而产生激光震荡； （3）要满足一定的阀值条件，以使光子增益等于或大于光子的损耗。