1. nmos管开关
双向MOS是电压控制电流器件，是单极性器件：载流子是空穴(P沟道)或自由电子(N沟道)，而且工艺上它的集成度可以做得很高；
BJT比MOS的开关速度要快，但功耗也要大些，MOS管的开关速度慢些，但功耗非常小；
以前BJT管用得多，但现在MOS也有HCMOS(高速MOS)管，因此MOS管的应用更有优势，用得越来越广泛。
2. nmos电源开关
半导体Wat是指晶圆生产出来后，在出晶圆厂之前，要经过一道电性测试，称为晶圆可接受度测试（WAT）。
晶圆生产出来后，在出晶圆厂之前，要经过一道电性测试，称为晶圆可接受度测试（WAT）。这个测试是测试在切割道（Scribe Line）上的测试键（TestKey）的电性能。
测试键通常设计有各种原件，例如不同尺寸的NMOS、PMOS、电阻、电容以及其他工艺相关的特性。
3. nmos控制电路
4个nmos可以整流，用的是同步整流，输出交流电源信号控制mOS管G极，控制mos管与电源电压同步导通的整流方式。
4. Nmos开关电路
mos管坏了不可以直接短接，通过MOS管实现一定功能，比如稳压，通断功能，如果短接电源直接跨过MOS管，所有功能失效，会损坏设备。
mos管是由输出信号控制的开关管，启动稳压的作用，如果短接就没有反馈控制导致电路烧毁。
MOS管接法：NMOS管左边的电路中，控制端为0V时MOS管关断，S极的电平为0，当G极给一定电压U0时MOS管导通，这时候负载（R）有电流（I）通过，S极的电压为U1等于R I，
这时候G极和S极之间的压差为U2等于U0U1，当U2不能够将MOS管完全导通时流过负载的电流就会降低。
MOS管接法：当G极和S极之间的压差都是G极电压U0，只要U0能够将MOS管导通即可，不会出现左边电路的情况。建议使用右边的MOS管驱动电路。
5. nmos管开关电路图
■mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关，场效应管有三个极：源极S、漏极D和栅极（或叫控制极）G. 工作原理是：在给源极和漏极之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给G极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极，如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。
6. nmos 开关
防止激励电流过大，击穿gs极，1m为泄流电阻，因为mos管输入阻抗极高，输入电压会积累在g极，它它将一直导通，信号将无法控制他，自己也会发热损坏
7. 常用nmos管
nmos管，有三个管脚，分别是栅极g，源极s，漏极d。当vgs有一定压差时导通，因此s脚接地，g脚保持高电压状态导通。
8. nmos管开关电路
逻辑级MOS管开启电压大概1.6-2V，比较适合电路使用。
开关模式电源（简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。
9. nmos管经典开关电路
栅极电压为高时，nmos导通，电磁阀通电，为低nmos截止；流过电流大小由R1确定。
10. nmos管原理图
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅）,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的。
11. nmos管工作原理及详解
20n03MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。
当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。