1. igbt的ce极击穿原因
检查负载是否有短路造成短时间内IGBT过热烧坏击穿；检查控制信号波形是否正常，造成没有工作在开关区，可以看看脉冲形成电路元件是否变值；原来好好的电路不会是配对问题
2. igbt门极击穿
集电极与发射极之间的电压高于最高工作就会击穿。通常由IGBT从闭合(close)到打开(open)过程中电流突然下降造成的尖峰电压(voltage spike)所导致，因为在IGBT以及电路中会有不可避免的感性阻抗。
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
3. igbt的ge击穿
造成电磁炉IGBT炸管的原因是非常多的，如果IGBT的推动三极管8050和8550对管损坏，3.3微法谐振电容五微法滤波电容容量减小这些因素都会导致IGBT击穿短路，另外为8050850推动管提供工作电压的18伏稳压二极管如果损坏也会导致IGBT炸管。
4. IGBT击穿原因
你换的桥堆是不是好的啊？另外一定还有其他损坏的二极管没换才会这样
5. igbt为什么会击穿
此故障一般带有其它的元件损坏一起出现，如IGBT、整流桥堆也一起击穿等，换上新的保险管后，不要马上上电试机，否则可能会再次引起烧保险管。 电磁炉烧IGBT的原因： 一、IGBT驱动电路。驱动电路三极管导通不良时，激励不足，引发IGBT过耗损坏；G极泄放电阻开路时，会引起上电即烧IGBT和关机后IGBT自行击穿的现象。限幅稳压二极管漏电后对驱动信号有影响，引发IGBT过耗损坏。 二、305V供电回答。若整流桥或滤波电容异常导致305V电压低时，可以引起IGBT导通角增大，LC频率升高等异常现象，会引起IGBT过流过压损坏。 三、18V供电回答。当18V电压偏低时，会导致激励不足的过耗损坏。18V电压偏高时一般不会危及IGBT安全。 四、LC谐振回路。谐振电容变小后，谐振频率上升，IGBT截止时间缩短内耗增回而损坏。谐振电容开路后，IGBT因没有LC振荡的阻尼作用导致过流损坏。 五、IGBT高压保护。锅具材质不同，LC产生的谐振电压峰值也不同，有些会高于IGBT耐压值，这种情况下需要对IGBT进行保护。当保护电路失效时，LC谐振电压过高时损坏IGBT. 六、代换IGBT不匹配。电磁炉设计时，不仅要考虑元件参数指标，最重要的还要考虑到电磁炉的热效率。参数值高的IGBT也不一定能代换。（整机振荡控制电路是非常精密的。）
6. IGBT击穿
原因一：0.3uF/1200V谐振电容、5uF/400V滤波电容损坏或容量不足
在电磁炉中，若0.3uF/1200V谐振电容、5uF/400V滤波电容容量变小、失效或特性良,将导致电磁炉LC振荡电路频率偏高，从而引起功率管IGBT管损坏，经查其他电路无异常时，我们必须将0.3uF和5uF电容一起更换。
原因二：IGBT管激励电路异常
振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制IGBT管饱和、导通与截至，必须通过激励电路将脉冲信号放大来完成。如果激励电路出现故障，高电压就会加到IGBT管的G极，导致IGBT管瞬间击穿损坏。常见为驱动管S8050、S8550损坏。
原因三：同步电路异常
同步电路在电磁炉中的主要是保证加到IGBT G极上的开关脉冲前沿与IGBT管上VCE脉冲后沿同步。当同步电路工作异常时，导致IGBT管瞬间击穿损坏。
原因四：18V工作电压异常
在电磁炉中，当18V工作电压异常时会使IGBT管激励电路、风扇散热系统及LM339工作失常导致IGBT管上电瞬间损坏。
原因五：电磁炉工作在大电流状态下,其发热量也大，如果散热系统出现异常会导致IGBT管过热而损坏。
原因六：单片机异常
单片机内部异常会因工作频率异常而烧毁IGBT管。
原因七：VCE检测电路异常
VCE检测电路将IGBT管集电极上的脉冲电压通过电阻分压、取样获得其取样电压，此电压变化的信息送入CPU，CPU检测该电压的变化，做出各种相应指令。当VCE检测电路异常时，VCE脉冲幅度值超过IGBT管极限值，从而导致IGBT管损坏。
原因八：用户锅具变形或锅底凹凸不平
在锅底产生的涡流不能均匀地使变形的锅具加热，从而使锅底温度传感器检温失常，CPU因检测不到异常温度而继续加热，导致功率管的损坏。
7. igbt过压击穿后的状态
现象主要有制动电流突然增大,变频器没有运行时也有制动电流,制动电阻温度升高发红。IGBT击穿一般是过压或者过流，还有就是过温了，门极电压超过规定的范围会导致G-E击穿，C-E间的电压超过Vces也会击穿，而且过压是很容易将IGBT击穿的，比如关断的时候电压尖峰过大，超过了Vces的电压就有可能击穿，而导致电压尖峰过大的原因主要是IGBT所在回路的寄生电感过大或者di/dt过大造成的，可以通过调整门极电阻来控制。
8. igbt雪崩击穿
集成电路设计企业
1.英飞凌科技（西安）有限公司
2.西安亚同集成电路技术有限公司
3.西安深亚电子有限公司
4.西安联圣科技有限公司
5.西安中芯微电子技术有限公司
6.陕西美欧电信技术有限公司
7.西安爱迪信息技术有限公司
8.西安交大数码技术有限责任公司
9.西安大唐电信公司ic设计部
10.西电科大华成电子股份有限公司
11.西安华西集成电路设计中心
12.西安海容西工大信息技术公司
13.西安万思微电子有限公司
14.西安华泰集成电路设计中心
15.西安大智微电子有限公司
16.西安德恒科技有限公司
17 西安秦川三和信息技术有限公司
18 西安北斗星数码信息有限公司
19 西安恒拓微电子装备有限公司
20 西安德智科技有限公司
21 西安群茂科技有限公司
22 西安富微科技有限公司
23 西安西科美芯电子有限公司
24 西安海德威科技有限公司
25 西安和记奥普泰通信技术有限公司
26 西安速波微电子有限公司
27 西安秦普电子有限公司
29 西安电子科技大学恒益测控技术有限公司
集成电路测试企业
1、 西安太乙电子中心 西安太乙电子有限公司
2、 西安西谷微电子有限责任公司
3、 西安骊山微电子有限公司高可靠器件研究室
集成电路制造企业
1、 西安微电子技术研究所集成电路开发研究中心
2、 西安微电子技术研究所高可靠器件研究室
3、 西安西岳电子有限公司
集成电路封装企业
1、 西安爱尔半导体技术有限公司
2、 西安高科卫光电子有限公司
3、 西安卫光电工厂
集成电路设备制造企业
1、 西安理工大学工厂
2、 西北机器（总厂）半导体设备厂
3、 陕西金山集团宝鸡金山电子设备厂
半导体分立器件制造企业
1、 西安爱帕克电力电子有限公司
2、 西安卫光半导体有限公司
3、 西安赛经电子科技有限责任公司
半导体材料生产企业
1、 中国四佳半导体材料有限公司
2、 陕西华山半导体材料厂
3、 西安骊晶电子技术有限公司
集成电路技术研究机构
1、 西安微电子研究所（771）
2、 中国航空计算机技术研究所（631所）
3、 西安空间技术研究所（504所）
9. IGBT击穿短路
IGBT发生短路时，电流上升至4倍额定电流以上，最终IGBT是要将这个电流关断掉的，这时的电流的数值比平常变流器额定工作时的电流高了很多，所以此时产生的电压尖峰也是非常高的。为了防止电压尖峰损坏IGBT，还需要引入——有源钳位电路，但并不是所有的驱动电路都需要配备有源钳位功能，容量比较大的IGBT，就比较有必要配置此电路。
对于小功率IGBT模块，通常采用直接串电阻的方法来检测器件输出电流，从而判断过电流故障，通过电阻检测时，无延迟；输出电路简单；成本低；但检测电路与主电路不隔离，检测电阻上有功耗，因此，只适合小功率IGBT模块。
10. IGBT击穿电压
IGBT管反向击穿电压一般都在600v以上，具体视规格，电压超过，电流能控制住一般不会马上击穿，这是晶体管的电击穿(是导通，可以恢复），但是，由于电流升高导致所谓热击穿就是永久击穿了