1. 霍尔传感器系统灵敏度
一般是 一点几 毫伏/高斯 到 五 毫伏/高斯,如果你是大学物理里的霍尔实验那个值可能会到十以上,具体看实验用具
2. 高灵敏度霍尔传感器
霍尔元件（由锑化铟制成）的灵敏度比较好测量，相同的电压和磁场条件下，输出电压高的则灵敏度高.
霍尔集成电路（IC)的灵敏度的测量要分两种：
（1) 对于开关型，测量可以使hall IC打开（一般输出由高变低）的磁场强度，使hall打开的磁场越弱则灵敏度越高。
（2）对于线性hall，则需要给芯片一个磁场变量（比如磁场变化100GS）看输出电压变化值的大小，电压变化的则灵敏度高。
对于怎样提高灵敏度，在hall材料已经确定的情况下只能靠外加放大器等电子电路来变相的实现。
扩展资料：
霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm 级），采用了各种补偿和保护措施，霍尔器件的工作温度范围宽，可达－55℃～150℃。
在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。 另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。
线性霍尔效应传感器 IC 的电压输出会精确跟踪磁通密度的变化。在静态（无磁场）时，从理论上讲，输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。
相反，增加北极磁场将增加来自其静态电压的电压。这些部件可测量电流的角、接近性、运动及磁通量。它们能够以磁力驱动的方式反映机械事件。
3. 霍尔传感器系统灵敏度分析
霍尔电压灵敏度就是：霍尔电压灵敏度是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。
4. 霍尔传感器的灵敏度
霍尔效应用公式表示为：E=KBIcosθ。E为霍尔效应电压，单位为伏特（V）；I是霍尔器件的工作电流，单位为安培（A）；B是外部磁场的磁感应强度，单位为特斯拉（T）θ为I与B的垂直角度的偏差，单位可以是角度（°）或弧度（rad）。K为霍尔器件的灵敏度，是常数；其单位为：V/(A.T)。一般开关型的霍尔灵敏度是指原件本身的磁开启和关闭点，表示的单位大多为两种，高斯（Gauss）与毫特斯拉（mT），10Gauss=1mT线性霍尔的灵敏度是指单位磁场变化时其输出电压的变化，一般用毫伏/高斯（mV/Gauss）或者毫伏/毫特斯拉（mV/mT）表示，换算参照开关型
5. 霍尔传感器系统灵敏度设置
霍尔元件灵敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。
霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比，而与霍尔元件的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，单位为mV/(mA.G)，它通常可以表征霍尔常数。另外，如果是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值，具体还得看实验用具。
实际的霍尔元件，通常分为开关型或线性型两种，开关型一般不标称灵敏度，而线性型通常电流I由内部电路决定。因此，灵敏度的定义发生了变化。
6. 霍尔传感器灵敏系数
霍尔系数是指UH=RH*IC*B/d式中的RH。 它的单位是米的三次方每库仑，由半导体材料的性质决定。
霍尔元件应用的基本原理是 霍尔效应。 霍尔效应是一种磁敏效应，一般在 半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势，其大小可表示为：
UH=RH/d*IC*B （1）
式中，RH称为霍尔系数，它的单位是 米的三次方每库仑，由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度。
设RH/d=K,则式（1）可写为：
UH=K*IC*B (2)
可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积 灵敏度。K值越大，灵敏度就越高； 元件厚度越小， 输出电压也越大。
在式（2）中，若控制 电流IC,为常数，磁感应强度B与被测电流成反比，就可以做成霍尔电流传感器；另外，若仍固定IC为常数，B与被测电压成正比，又可制成霍尔电压传感器。