1. 简述霍尔传感器灵敏系数的定义及特点
霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压，如：直流、交流、脉冲波形等，甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。而普通互感器则是无法与其比拟的，它一般只适用于测量50Hz正弦波。
2、 原边电路与副边电路之间完全电绝缘，绝缘电压一般为2KV至12KV，特殊要求可达20KV至50KV。
3、 精度高：在工作温度区内精度优于1%，该精度适合于任何波形的测量。而普通互感器一般精度为3%至5%且适合50Hz正弦波形。
4、 线性度好：优于0.1%。
5、 动态性能好：响应时间小于1μs，跟踪速度di/dt高于50A/μs。
6、 霍尔传感器模块这种优异的动态性能为提高现代控制系统的性能提供了关键的基础。与此相比普通的互感器响应时间为10-12ms，它已不能适应工作控制系统发展的需要。
7、 工作频带宽：在0-100kHz频率范围内精度为1％。在0－5kHz频率范围内精度为0.5%。
8、 测量范围：霍尔传感器模块为系统产品，电流测量可达50KA，电压测量可达6400V。
9、 过载能力强：当原边电流超负荷，模块达到饱和，可自动保护，即使过载电流是额定值的20倍时，模块也不会损坏。
10、 模块尺寸小，重量轻，易于安装，它在系统中不会带来任何损失。
11、 模块的初级与次级之间的“电容”是很弱的，在很多应用中，共模电压的各种影响通常可以忽略，当达到几千伏/μs的高压变化时，模块有自身屏蔽作用。
12、 模块的高灵敏度，使之能够区分在“高分量”上的弱信号，例如：在几百安的直流分量上区分出几毫安的交流分量。
13、 可靠性高：失效率 λ = 0.43 x 10-6 /小时。
14、 抗外磁场干扰能力强：在距模块5-10cm处有一个两倍于工作电流(2Ip)的电流所产生的磁场干扰而引起的误差小于0.5%，这对大多数应用，抗外磁场干扰是足够的，但对很强磁场的干扰要采取适当的措施。
2. 简述霍尔传感器灵敏度系数的定义
霍尔元件（由锑化铟制成）的灵敏度比较好测量，相同的电压和磁场条件下，输出电压高的则灵敏度高. 霍尔集成电路（IC)的灵敏度的测量要分两种：
（1) 对于开关型，测量可以使hall IC打开（一般输出由高变低）的磁场强度，使hall打开的磁场越弱则灵敏度越高。
（2）对于线性hall，则需要给芯片一个磁场变量（比如磁场变化100GS）看输出电压变化值的大小，电压变化的则灵敏度高。 对于怎样提高灵敏度，在hall材料已经确定的情况下只能靠外加放大器等电子电路来变相的实现。
3. 霍尔元件什么霍尔传感器的灵敏度越高
依据霍尔效应，用霍尔元件来测量磁场时需要的物理量有：
1、通过霍尔元件的激励电流I。
2、穿过霍尔元件的磁场B。
3、霍尔元件形成的霍尔电动势E。
E=KHIB其中KH为霍尔元件的灵敏度。
霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。
4. 霍尔传感器灵敏度一般为多少
开关型灵敏度指的是他的磁开启/关闭窗口，即要多大的磁场才能使霍尔导通，这个值越小灵敏度越高
线性的灵敏度是指磁场每变化一个单位其输出电压变化的值，这个值越大灵敏度越高
具体到器件决定灵敏度的是IC内部的放大器
5. 简述霍尔元件灵敏系数的定义
一般概念上灵敏度都是正值，霍尔元件是测量磁场强度的器件，对于磁场强度来说，要么有，就是正值。没有就是0，没有负值的概念，这个与磁场极性无关的，在半导体器件制造中,通常可以用霍耳系数的正负来判断半导体材料的P,N型,但对于碲镉汞(MCT)材料,由于其载流子迁移率较高,电子迁移率比空穴迁移率大许多,有其特殊性.本文根据P,N型的定义和通用的霍耳系数公式对其作具体分析,
6. 简述霍尔传感器灵敏系数的定义及特点是什么
霍尔效应用公式表示为：E=KBIcosθ。E为霍尔效应电压，单位为伏特（V）；I是霍尔器件的工作电流，单位为安培（A）；B是外部磁场的磁感应强度，单位为特斯拉（T）θ为I与B的垂直角度的偏差，单位可以是角度（°）或弧度（rad）。K为霍尔器件的灵敏度，是常数；其单位为：V/(A.T)。一般开关型的霍尔灵敏度是指原件本身的磁开启和关闭点，表示的单位大多为两种，高斯（Gauss）与毫特斯拉（mT），10Gauss=1mT线性霍尔的灵敏度是指单位磁场变化时其输出电压的变化，一般用毫伏/高斯（mV/Gauss）或者毫伏/毫特斯拉（mV/mT）表示，换算参照开关型