1. 极紫外光刻机技术
1、大族激光（002008），最新股价39.35元，总市值419.89亿：2021年6月17日公司在互动平台称：公司在研光刻机项目分辨率3-5μm，主要聚焦在分立器件、LED等领域的应用，今年有望实现小批量销售。
2、张江高科（600895），最新股价16.40元，总市值253.99亿：2021年3月，公司在互动平台表示，上海张江浩成创业投资有限公司2021年投资了上海微电子装备有限公司22，345万元，投资比例为10.779%。
3、晶方科技（603005），最新股价55.50元，总市值188.34亿：2021年6月，公司在互动平台表示，荷兰光刻机制造商ASML为公司参与并购的荷兰Anteryon公司的最主要客户之一。Anteryon为全球同时拥有混合镜头、晶圆级微型光学器件工艺技术设计、特性材料及量产能力的技术创新公司，其产品可广泛应用于半导体精密设备、工业自动化、汽车、安防、3D传感器为代表的消费类电子等应用领域。
4、赛微电子（300456），最新股价21.39元，总市值136.71亿：2021年6月，公司在互动易平台披露：公司一直为全球光刻机巨头厂商提供透镜系统MEMS部件的工艺开发与晶圆制造服务。ASML为公司商业合作伙伴。公司瑞典与北京分别拥有数台光刻机；瑞典产线2021-2021年产能利用率一直保持在80%以上的高水平
5、万业企业（600641），最新股价13.92元，总市值133.34亿：全资子公司凯世通采取“领先一步”的策略、采用有国际竞争力的设计理念，着力研制16纳米及以下制程的FinFET集成电路离子注入机，并针对研制低能大束流离子注入机所需要解决的关键技术和技术难点，建立起相应的研发平台、相关核心关键技术及工艺的研究参数数据库和性能检测规范标准。2021年凯世通的低能大束流离子注入机迁机成功，顺利进入离子注入晶圆验证阶段。参股公司上海半导体装备材料基金持有华卓精科2.08%股权。
6、上海新阳（300236），最新股价41.58元，总市值120.85亿：2021年2月，公司在互动易平台表示，中芯国际是公司的主要客户之一。2021年2月，公司在互动易平台披露，公司KRF光刻机能支持96层3DNAND用光刻胶研究，及250nm、130nm工艺制程逻辑电路用光刻胶研究。公司正在加快开发第三大核心技术——光刻技术，在集成电路制造用ArF干法、KrF厚膜胶、I线等高端光刻胶领域已有重大突破。同时，积极布局半导体硅片、半导体湿法工艺设备、平板液晶显示用光刻胶等业务领域。
7、南大光电（300346），最新股价28.13元，总市值114.46亿：超募资金投资”ArF光刻胶产品的开发与产业化”项目。
8、飞凯材料（300398），最新股价15.60元，总市值80.47亿：公司从事PCB光刻胶专用化学品。
9、*ST胜利（002426），最新股价2.08元，总市值71.58亿：胜利精密计划募资不超过20亿元，投向光刻机产业化。
10、华特气体（688268），最新股价57.49元，总市值68.99亿：华特气体是特种气体龙头企业。
2. 极紫外线光刻
28nm和14nm光刻胶是没有区分的，都属于一类波长的光刻胶。
光刻胶区分比较重要的是按曝光波长分类，按照曝光波长分类，可分为：紫外光刻胶（300~450nm）深紫外光刻胶（160~280nm）极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）电子束光刻胶离子束光刻胶X射线光刻胶通常来说，波长越短，加工分辨率越佳。
由此可见28nm和14nm所使用的光刻胶同属于深紫外光光刻胶，既都是使用193nm深紫外光光源的中端光刻机，所以14nm和28nm使用的光刻胶没有区分。
3. 极紫外光源与光刻技术
光刻机和激光雕刻机最大的区别是，是否直接切割。
激光雕刻机是利用激光对需要雕刻的材料进行雕刻的科技设备。激光雕刻机也可称为激光切割机，激光刻字机等，将激光射到木制品、亚克粒、塑料板、金属板、石材等几乎所有的材料之上。
而光刻机实际上不是刻，而是光照，利用紫外线和光刻胶及其他设备共同完成对硅晶圆的腐蚀镂刻，其光源无法直接对硅晶圆做切割等加工动作。
4. 极紫外光刻工艺
目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是极深紫外线（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻技术。EUV已被确定为先进工艺芯片光刻机的发展方向。
DUV已经能满足绝大多数需求：覆盖7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的区别在光源方案。duv的光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。然而，euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为13.5纳米。
从制程范围方面来谈duv基本上只能做到25nm，Intel凭借双工作台的模式做到了10nm，却无法达到10nm以下。euv能满足10nm以下的晶圆权制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。
duv和euv光刻机区别还有光路系统不同。
duv：主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm。
euv：利用的光的反射原理，内部必须为真空
5. 极紫外光刻关键技术
近日，三星在工艺论坛SFF 2018 USA上，向外界展示了其最新的7nm工艺技术，同时还向外界透露，三星还准备连续进军5nm、4nm、3nm工艺，三星表示目前未来的终极目标将会是3nm，而现在全新的7 nm的EUV极紫外光刻技术基本处于研究完毕的状态。
三星在论坛大会上表示：三星首先将会在7LPP工艺的基础上继续创新改进，然后进一步推出5nm工艺，而4nm工艺也依旧将会结合此前5nm成熟的LPE工艺技术，采用当下成熟最高的FinFET立体晶体管技术；但三星最后表示3nm工艺将会是全新设计的晶体管底层结构，全新设计的晶体管架构能够克服目前的物理和性能极限，从而实现终极的3nm工艺制程技术，届时将会一步缩小芯片核心面积。
6. 极紫外光刻机的波长
光刻机辐射为紫外光非电离辐射，通常光源不外露没有辐射。
辐射指的是由场源发出的电磁能量中一部分脱离场源向远处传播，而后不再返回场源的现象。辐射分为电离辐射和非电离辐射，光刻机的紫外光源为非电离辐射。紫外辐射是一种非照明用的辐射源。紫外辐射的波长范围为10纳米至400纳米。由于只有波长大于100纳米的紫外辐射，才能在空气中传播，所以人们通常讨论的紫外辐射效应及其应用，只涉及100纳米至400纳米范围内的紫外辐射。而光刻机大部分深紫外光波长被控制在100纳米以内，所以没有外露辐射，而高端的极紫外光波长为13.5纳米就更没有辐射危害。
7. 极紫外线光刻机
世界光刻机目前根据不同工艺可以分别做到 14 nm 和 5nm以下。
目前光刻机生产的芯片最小的是三星和台积电为3nm。
目前最高端的EUⅤ光刻机波长13.5nm，曝光精度14nm，釆用平面工艺，也就是14nm，釆用finfet工艺可达5nm以下。
荷兰ASML公司是全球最大的光刻机制造商，也是全球唯一可以提供EUV光刻机的厂商，在全球高端光刻机市场处于垄断地位。