1. 方块电阻的电阻值与长度有关
方块电阻指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻。方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关。
方块电阻计算公式：R=ρL/S
ρ为物质的电阻率，单位为欧姆米(Ω. m)
L为长度，单位为米(m)
S为截面积，单位为平方米（m2）
2. 方块电阻的电阻值与长度有关系吗
方块电阻与厚度有关。
方块电阻又称膜电阻，是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值，该数值大小可直接换算为热红外辐射率。方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形测量值都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关。
3. 方块电阻和电导率
电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下（20℃时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。电阻率的单位是欧姆米(Ω·m或ohmm)，常用单位是欧姆毫米和欧姆米。电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在常温下（20℃时），某种材料制成的长1米、横截面积是1平方米的导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。
在温度一定的情况下，有公式Rρ=l/s其中的就是电阻率，l为材料的长度， s为面积。可以看出，材料的电阻大小正比于材料的长度，而反比于其面积。由上式可知电阻率的定义：ρ=Rs/l
4. 方块电阻的大小与什么有关
在化学上，ITO 是Indium Tin Oxides的缩写。
作为纳米铟锡 金属氧化物，具有很好的 导电性和透明性，可以切断对人体有害的 电子辐射、紫外线及 远红外线。因此，铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及 电子显示屏上，用作 透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。
ITO 是一种N型 氧化物半导体- 氧化铟锡, ITO薄膜即铟锡氧化物半导体 透明导电膜，通常有两个性能指标： 电阻率和 透光率。
在氧化物 导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的 透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中 蚀刻出细微的图形，其中透光率达90%以上。ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例来控制，通常SnO2:In2O3=1:9。
目前ITO膜层之电阻率一般在5*10E-4左右，最好可达5*10E-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以 方块电阻来表征ITO的导电性能，其透过率则可达90%以上，ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例控制，增加 氧化铟比例则可提高ITO之 透过率，通常SnO2: In2O3=1:9，因为 氧化锡之厚度超过200Å时，通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。
如用是电流平行流经ITO脱层的情形，其中d为膜厚，I为电流，L1为在电流方向上膜厚层长度，L2为在垂直于电流方向上的膜层长主，当电流流过方形 导电膜时，该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜 之 电阻率，对于给定膜层，P和d可视为定值，P/d，当L1=L2时，怒火正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值P/d，此即 方块电阻定义： R□=P/d，式中R□单位为：欧姆/□（Ω/□），由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低，膜厚越大。
目前在高档STN 液晶显示屏中所用ITO玻璃，其R□可达10Ω/□左右，膜厚为100-200nm，而一般低档TN产品的ITO玻璃R□为100-300Ω/□，膜厚为20-30nm
5. 电阻与方块电阻计算
假设相同的4个电阻R联接成正方形，有两种方法求它们的总电阻。
①当电源接在正方形的对角线时，这时候相当于两个电阻串联相加后再并联，所以最后总电阻就是:2R与2R并联，最终总电阻是RΩ，
②如果电源接在其中一个电阻的两端，那么相当于一个R电阻与一个3R电阻并联，总电阻等于 3R/4
6. 方块电阻的电阻值与长度有关吗
方块电阻指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻.方块电阻有一个特性,即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的,不管边长是1米还是0.1米,它们的方阻都是一样,这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关. 方块电阻计算公式：R=ρL/S ρ为物质的电阻率,单位为欧姆米(Ω.m) L为长度,单位为米(m) S为截面积,单位为平方米（m2）
7. 方块电阻与厚度的关系
电阻率p，一般指体积电阻率； 方阻R，一般指薄层（厚度为s）的电阻率；
则“电阻率方阻换算”为：R = p / s 。