1. igbt输入阻抗
IGBT的主要优点有：① IGBT在正常工作时，导通电阻较低，增大了器件的电流容量。② IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。③ 较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压，因而可以实现高耐压的器件。④ IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。⑤ 与MOSFET一样，IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容，则驱动功率低，开关速度高。⑥若把IGBT的p+漏极区分割为几个不同导电型号的区域（即再加进几个n+层），这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡作用，则还可进一步减小器件的导通电阻。IGBT也具有若干重大的的缺点：① 因为IGBT工作时，其漏极区（p+区）将要向漂移区（n-区）注入少数载流子——空穴，则在漂移区中存储有少数载流子电荷；当IGBT关断（栅极电压降为0）时，这些存储的电荷不能立即去掉，从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断，即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾——关断时间较长（10～50ms）。所以IGBT的工作频率较低。为了缩短关断时间，可以采用电子辐照等方法来降低少数载流子寿命，但是这将会引起正向压降的增大等弊病。② IGBT中存在有寄生晶闸管——MOS栅控的n+-p-n--p+晶闸管结构，这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制（采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响）。
2. IGBT电阻
九阳电磁炉IGBT下面的热敏电阻一般为10K，九阳的产品实行全国联保政策，您也可以到当地九阳售后服务部，让工作人员帮您检查一下机器
3. igbt内阻多大
用IGBT或者MOSFET吧，普通三极管发热是比较严重的。
MOSFET可以支持的频率更高、导通内阻小，IGBT主要用于大功率或高电压应用环境，比如一般的小功率应用MOSFET的多，向机车牵引比如高铁、动车都是IGBT，国内的是南车自研。MOSFET和IGBT可选的都比较多，选择合适的电压、最大电流、导通内阻应该可以解决的。但是不管哪种，通常都需要做散热的，比如加散热片什么的。4. igbt导通阻抗
IGBT是电压控制型器件，它只有开关特性（通和断两种状态），没有放大特性。由IGBT等效电路可知，它是以晶体管为主导元件，以MOS管为驱动元件的达林顿结构。当栅极电压Uge达到开启电压，IGBT导通，当Uge=0或者负电压时（负电压作用：可靠关断），IGBT断开。
常见的有IGBT单管和IGBT模块两种结构。
5. igbt通态电阻
通态损耗是器件功率损耗的主要成因。器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。
驱动：与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。
导通： uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。
通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。
关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断
6. igbt输出
像流水线一样通过一系列工艺步骤制造芯片，这就是流片。
IGBT（绝缘栅双极晶体管 Insulated－gate bipolar transistor ），这款芯片在电动汽车上运用极为广泛。
IGBT 是用于电动车、铁路机车、动车组的交流电电动机输出控制的芯片。
IGBT 直接控制直、交流电的转换，决定了驱动系统的扭矩，以及最大输出功率。所以，你这车加速能力怎样，最高时速多少，能源效率如何全看它。
IGBT 大约占电机驱动系统成本的一半 ，占到整车成本的5％ ，是整部电动车成本第二高的元件（成本第一高的是电池）。毫不夸张地说，这就是电动车领域的“核心技术” 。
7. igbt的输入阻抗
IGBT,既具备了CMOS管的高输入电阻，又具备了双极型晶体管的低导通压降。 如果想正常可靠工作，不能使用脉冲。应该是：G-S加正电压导通，G-S加负电压截止。
因为其G的高输入阻抗，在测量时在G-S加正电压后，G-S的电容储存的电荷释放缓慢，即使去掉驱动信号，IGBT也会继续维持导通一会，但这种情况不稳定，尽量不要利用这种特性。
8. igbt输出电压
对于全桥或半桥电路来说，上下管的驱动电源要相互隔离，由于 IGBT 是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，要求能提供较大的瞬时电流，要使 IGBT 迅速关断，应尽量减小电源的内阻，并且为防止 IGBT 关断时产生的 du/dt 误使 IGBT 导通，应加上一个 -5 V 的关栅电压，以确保其完全可靠的关断 （ 过大的反向电压会造成 IGBT 栅射反向击穿，一般为 -2 ～ 10 V 之间 ） 。