1. 硅谐振式压力传感器工作原理
硅谐振梁处于永久磁铁提供的磁场中，与变送器放大器组成一正反馈回路让谐振梁在回路中震荡。当单晶硅片上的上下表面受到压力差时将产生形变，中心处受至压缩力，边缘处受到张力，因而两个形状谐振梁分别感应不同的应变作用，其结果是中心谐振梁受到压缩力而频减少，边侧谐振梁因受到张力而频率之差对应不同的压力信号。
2. 压电式振动传感器原理
振动传感器主要监测旋转机械的振动情况，每种设备都有自己的振动标准，超过振动值，表明机器出现故障，所以振动传感器是起到对振动的保护作用。
振动传感器分为磁电式与压电式两种，磁电式的结构简单、价格较低，但精度较差，现在常用的是压电式的传感器，测量精度较高。
振动传感器首先感应振动加速度，经过积分得到速度，二次积分得到位移，但加速度和位移会受频率的影响，同时国家振动标准称为振动烈度，也就是振动速度的有效值，所以，通常监测振动速度。
3. 硅谐振式压力传感器工作原理视频
我看了下儿那图，那只是个最简单的半波检波收音机，他画的波形示意图也是个道地的调幅包络线。
天线线圈Q值太小，电感太大，也是地道的调幅广播接受线圈。这里肯定不会有什么调频问题。我想或是你或是他，把调频和调节频率弄混了。也许他真实的意思是通过调感来调节谐振频率。也许他也不知道收的是什么信号——有些栏目会在调频和调幅两个频段上播出的，比如新闻和报纸摘要，锣鼓经之类的节目。建议你去矿坛——矿石收音机论坛 另找个电路，那儿有很多现成的图，还有很多爱好者教你怎么玩儿，网上的野路子就不要学了，设计者的讲解和很多爱好者能帮助你，我想那儿的人一般也不会建议你往水管子上接地线，那收听效果未必好，而且也不很安全。
4. 单晶硅谐振式传感器原理
电容式差压变送器是20世纪80年代研制开发的新型差压变送器，它利用单晶硅谐振传感器，采用微电子表面加工技术，除了保证±0.2%的测量精度外，还可实现抵制静压、温飘对其影响。由于配备了低噪声调制解调器和开放式通讯协议，目前的电容式差压变送器可实现数字无损耗信号传输。 1.结构及工作原理变送器主要有检测部分和信号转换及放大处理部分组成。检测部分由检测膜片和两侧固定弧形板组成，检测膜片在压差的作用下可轴向移动，形成可移动电容极板，并和固定弧形板组成两个可变电容器C1和C2，结构及电气原理可见图6-11。检测前，高、低压室压力平衡，P1 =P2；按结构要求，组成两可变电容的固定弧形极板和检测膜片对称，极间距相等，C1 =C2。当被测压力P1和P2分别由导入管进入高、低压室时，由于P1 >P2隔离膜片中心将发生位移，压迫电解质使高压侧容积变小。当电解质为不可压缩体时，其容积变化量将引起检测膜片中心向低压侧位移，此位移量和隔离膜片中心位移量相等。根据电工学，当组成电容的两极板极间距发生变化时，其电容量也将发生变化，即从C1=C2变为C1≠C2。由电气原理图可知，未发生位移时，I1=I2=0；ι1+ι2=ιc；发生位移后，由于相对极间距发生变化，各极板上的积聚电荷量也发生变化，形成电荷位移，此时反映出I1≠ I2，两者之间将产生电流差，若检测出其值大小以及和压差的关系，即可求取流量。2.变送电流与压差的关系 ' 设：未发生位移时，按电容定义：式中 K——比例常数；ε——介电常数；S——弧形板绝对面积；d0-——弧形板和可动极板之间相对平均距离。当发生位移Δd后，仍按电容定义有：由图6-11可看出，在电动势为e，角频率为ω的高频电源驱动下，其充放电流差为：将C1和C2定义表达式带入上式，有：由推导结果可以得出，电流差和可动极板(检测膜片)中心位移成正比，由于此位移和被测压差成正比，所以电流差与被测压差以及流量均成正比。3.电容式差压变送器的特点 电容式差压变送器完全由密封测量元件组成，可消除机械传动所造成的瞬时冲击和机械振动。另外高、低压测量室按防爆要求整体铸造而成，大大抑制了外应力、扭矩以及静压对测量准确度的影响。
5. 振弦式压力传感器工作原理
工作原理
VW-102A型振弦读数仪为扫频激励工作方式，扫频激励范围为400～5000 Hz 。测量时应选择适合传感器的激励类型，这样会使传感器的测值更稳定。在工地现场干扰源较多或传感器测值出现不稳、测读困难时，应根据传感器读数范围正确设定激励类型，否则会影响测值的准确性。读数仪提供了四种激励类型方式，四种方式的激励能量虽不一样，但测出的读数值应一致
6. 单晶硅压力传感器原理
可控硅工作原理 可控硅 ,一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
7. 高精度硅谐振压力传感器
压力传感器工作原理 1 、应变片压力传感器原理 力学传感器的种类繁多，如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。
电阻应变片是一种将被测件上的应变变化转换成为一种电信号的敏感器件。电阻应变片应用最多的是金属电阻应变片和半导体应变片两种。通常是将应变片通过特殊的粘和剂紧密的粘合在产生力学应变基体上，当基体受力发生应力变化时，电阻应变片也一起产生形变，使应变片的阻值发生改变，从而使加在电阻上的电压发生变化。一般这种应变片都组成应变电桥，并通过后续的仪表放大器进行放大，再传输给处理电路(通常是A/D 转换和CPU )显示或执行机构。2 、陶瓷压力传感器原理 陶瓷压力传感器 压力直接作用在陶瓷膜片的前表面，使膜片产生微小的形变，厚膜电阻印刷在陶瓷膜片的背面，连接成一个惠斯通电桥(闭桥)，由于压敏电阻的压阻效应，使电桥产生一个与压力成正比的电压信号。3 、扩散硅压力传感器原理 工作原理：被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上(不锈钢或陶瓷)，使膜片产生与介质压力成正比的微位移，使传感器的电阻值发生变化， 用电子线路检测这一变化，并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。4 、蓝宝石压力传感器 利用应变电阻式工作原理，采用硅- 蓝宝石作为半导体敏感元件，具有良好的计量特性。5 、压电压力传感器原理 压电传感器中主要使用的压电材料包括有石英、酒石酸钾钠和磷酸二氢胺。其中石英(二氧化硅)是一种天然晶体，压电效应就是在这种晶体中发现的，在一定的温度范围之内，压电性质一直存在，但温度超过这个范围之后，压电性质完全消失(这个高温就是所谓的 “居里点”)。由于随着应力的变化电场变化微小(也就说压电系数比较低)，所以石英逐渐被其他的压电晶体所替代。
8. 谐振式压力传感器应用
1 、应变片压力传感器原理
力学传感器的种类繁多，如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。 在了解压阻式力传感器时，我们首先认识一下电阻应变片这种元件。电阻应变片是一种将被测件上的应变变化转换成为一种电信号的敏感器件。它是压阻式应变传感器的主要组成部分之一。电阻应变片应用最多的是金属电阻应变片和半导体应变片两种。金属电阻应变片又有丝状应变片和金属箔状应变片两种。通常是将应变片通过特殊的粘和剂紧密的粘合在产生力学应变基体上，当基体受力发生应力变化时，电阻应变片也一起产生形变，使应变片的阻值发生改变，从而使加在电阻上的电压发生变化。这种应变片在受力时产生的阻值变化通常较小，一般这种应变片都组成应变电桥，并通过后续的仪表放大器进行放大，再传输给处理电路（通常是A/D 转换和CPU ）显示或执行机构
9. 扩散硅式压力传感器的基本原理
压力传感器工作原理 1 、应变片压力传感器原理 力学传感器的种类繁多，如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。
电阻应变片是一种将被测件上的应变变化转换成为一种电信号的敏感器件。电阻应变片应用最多的是金属电阻应变片和半导体应变片两种。通常是将应变片通过特殊的粘和剂紧密的粘合在产生力学应变基体上，当基体受力发生应力变化时，电阻应变片也一起产生形变，使应变片的阻值发生改变，从而使加在电阻上的电压发生变化。一般这种应变片都组成应变电桥，并通过后续的仪表放大器进行放大，再传输给处理电路(通常是A/D 转换和CPU )显示或执行机构。2 、陶瓷压力传感器原理 陶瓷压力传感器 压力直接作用在陶瓷膜片的前表面，使膜片产生微小的形变，厚膜电阻印刷在陶瓷膜片的背面，连接成一个惠斯通电桥(闭桥)，由于压敏电阻的压阻效应，使电桥产生一个与压力成正比的电压信号。3 、扩散硅压力传感器原理 工作原理：被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上(不锈钢或陶瓷)，使膜片产生与介质压力成正比的微位移，使传感器的电阻值发生变化， 用电子线路检测这一变化，并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。4 、蓝宝石压力传感器 利用应变电阻式工作原理，采用硅- 蓝宝石作为半导体敏感元件，具有良好的计量特性。5 、压电压力传感器原理 压电传感器中主要使用的压电材料包括有石英、酒石酸钾钠和磷酸二氢胺。其中石英(二氧化硅)是一种天然晶体，压电效应就是在这种晶体中发现的，在一定的温度范围之内，压电性质一直存在，但温度超过这个范围之后，压电性质完全消失(这个高温就是所谓的 “居里点”)。由于随着应力的变化电场变化微小(也就说压电系数比较低)，所以石英逐渐被其他的压电晶体所替代。