一、压阻式压力传感器灵敏度计算？
压阻式传感器是在圆形硅膜片上扩散出四个电阻，这四个电阻接成惠斯登电桥。假设四个扩散电阻的起始电阻都相等且为R，当有应力作用时，两个电阻的阻值增加，增加量为ΔR，两个电阻的阻值减小，减小量为ΔR;另外由于温度影响，使每个电阻都有ΔRT的变化量。若电桥的供桥电压为U，则它的输出电压为:
式中:πL-压阻系数;E-电阻半导体材料的弹性模量;S=πL·E-传感器的灵敏度。
二、世界上首个硅压力传感器？
它应该是属于摩托罗拉MPX系列硅压力传感器之一，它的工作原理属于利用单晶硅的压阻效应，其结构是在单晶硅片中央蚀刻正方形的膜片，在膜片上形成一个X型的硅电阻，当对X型的硅电阻的电源对端施加一个适当电压，在X型的硅电阻的输出对端就会产生一个输出信号，该信号会随施加到正方形膜片上的压强的大小而呈线性变化。该压力传感器的特点是成本低、有灵敏度高、线性度好、临时重复性好的特点。 。
三、气压表压力传感器性能？
传感器是将各种非电量（包括物理量、化学量、生物量等）按一定规律转换成便于处理和传输的另一种物理量（一般为电量）的装置。传感器一般由敏感元件、转换元件和测量电路三部分组成，有时还需外加辅助电源。制造半导体压力传感器的基本原理是利用硅晶体的压阻效应，压力
传感器所用的元件材料是具有压阻效应的单晶硅、扩散掺杂硅和多晶硅，根据晶体不受定向应力时，电导率是同性的，只有受定向应力时才表现出各向异性，由于应力能引起能带的变化，能谷能量移动，导致电阻率的变化，于是就有电阻的变化，从而产生压阻效应，单晶硅效应包括:p型
和N型硅压阻效应。选用扩散硅目的在于在设计制造压力传感器是根据不同温度下硅扩散层的压阻特性选择合适的扩散条件，力求使压力传感器具有良好的性能，多晶硅在传感器中有广泛的用途，可作为微结构和填充材料、敏感材料。
胎压传感器功能和原理：主要是用来检测胎压的传感器。在硅片的中间，从背面腐蚀形成了正方形的膜片，利用膜片将压力转换成应力，利用压阻效应将加在膜片上的应力变换成电阻的变化M胎压的输出特性。
四、mpx2100压力传感器产品参数？
MPX2100系列压阻式硅压力传感器解决方案面向医疗和工业控制应用。 产品参数：温度补偿范围为0°到+85℃ 采用易于使用的盘卷式和芯片托架包装方式 与电源电压成比例 提供压力、差压与表压配置 ±0.25%线性度(MPX2100D)