1. 我国28nm光刻机攻克
估计要8年，因为目前我们能量产的只有28nm光刻机，14nm光刻机2年可量产，目前光刻机的辅助部分我们已基本掌握，核心部件的攻关用8年时间是完全没有问题的。所以说如果不出意外，8年内做到7nm光刻机量产是完全没有什么问题的。
2. 中国为何研制不出28nm光刻机
确实中芯国际研发的首台。
中国国产的芯片制造技术，仍大幅度落后于国际。由中芯国际研发的光刻机，还处于28nm工艺的水平，和国际主流的7nm工艺，还有很大的差距。预计在今年下半年开始，国际芯片制造将迈入5nm工艺时代。
至于网上流传的中芯国际成功研制7nm光刻机，则没有官方消息的证明。但好消息的是，近年来，中国开始重视芯片制造技术，传闻华为已开始研究和生产光刻机，并且将采用更为先进的技术，在此也是希望华为能再次成功。
3. 28nm光刻机进展
理论上可以经过几次曝光后能造7nm芯片
4. 中国首台28nm光刻机问世
光刻机是芯片制造过程中的重要机器，光刻机的先进程度决定了芯片的质量。
我国光刻机最高技术是上海微电子研究所的90nm工艺，它的SMEE200系列光刻机、300系列光刻机、500系列光刻机、600系列光刻机只能够达到90nm工艺水平。而像江苏无锡影幻半导体公司、合肥芯硕半导体公司都只能够拥有200nm工艺的光刻机量产能力。
世界上最顶尖光刻机是荷兰的ASML掌握，ASML占有了全球超过80％的市场份额，可以达到7nm工艺水平。
5. 22nm光刻机研制成功
中国有自己的光刻机，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光实现了22nm分辨率的超分辨光刻装备，为纳米光学加工提供了全新的解决途径。
6. 中国攻克光刻机
光刻机是生产芯片的主要工具，而刻光机又是技术含量高的高端产品，而目前世界上只有很少数国家能生产这种机器，我国是一个芯片需求大国，当然需要大量和高端的光刻机设备来满足芯片的需求，但由于美国对我们高技术产品的封锁无法引进这项技术及产品而我国目前只能生产底端的光刻机，现在，我国的科学家、及国家财力，正集中力量攻克高端光刻机的研发，相信在不久的几年就会研究出来，并且对关键技术己经有了新的突破，据有关资料到2025年，我国的光刻机水平能达到中等水平，2030年将达到世界水平。
7. 中国28nm光刻机是自主研发的吗?
上微28nm浸没式光刻机还没有下线。上海微电子厂的28nm光刻机，还处在最后研发的攻坚阶段。因为还有技术壁垒，没有办法突破。导致了上海微电子厂的28nm浸没式光刻机，始终无法下线，大批量生产。预计最快还需要1~2年时间才能够彻底成熟批量生产。