1. 中科院研发成功2nm光刻机
2nm光刻机是芯片制造的核心设备之一。
在加工芯片的过程中，2nm光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。
2nm光刻机的结构组成：
1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。
2、激光器：就是光源，光刻机核心设备之一。
3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。
4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。
5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。
6、遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。
7、能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。
8、掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。
9、掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。
10、物镜：物镜用来补偿光学误差，并将线路图等比例缩小。
11、硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。
12、内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。
2. 光刻机为什么中国做不出来
1.因为我们的技术有限。为了阻止我们的技术发展，西方国家阻碍了一些技术进入中国。因此，这一限制将影响中国在光刻机的发展。
2.事实上，我们的许多组件的使用取决于国际市场，在这种情况下，我们很难获得国际市场的支持。
3.ASML的成功是因为其技术的局限性，更重要的是，它把一些企业当成了自己的股东，比如三星、台积电，英特尔等等。
3. 中国现在能做几nm芯片
近日消息指出中国已量产3nm，不过仔细看了下其实是指中国已具备封测3nm芯片，当然这对于中国芯片来说已是了不起的进步，因为封测也是芯片制造的重要环节之一。
芯片的生产包括芯片设计、芯片制造、芯片封测等诸多环节，在芯片设计方面，中国已经达到全球领先水平，华为海思等芯片企业已可设计出3nm工艺的芯片，这也是当前中国芯片最先进的部分。
4. 光刻机
中国顶尖光刻机就是上海微电子的，没有其他排名。
我们国家光刻机是以上海微电子装备有限公司（SMEE）和中科院以及武汉光电国家研究中心为代表。SMEE的光刻机目前来说它有四大系列，分别是200系列光刻机、300系列光刻机、500系列光刻机、600系列光刻机。这些系列机器仅能够做出90nm工艺的芯片，与国外先进的7nm工艺，甚至更为先进的5nm工艺的光刻机还差很多。上海微电子预计年底能完成首台28纳米光刻机。
5. 中国唯一一台7nm光刻机
不是，最好的4纳米。
光刻机本身最高的应该是euv极紫外光光源波长的光刻机，其波长为13.5纳米。用euv光刻机可以制造22纳米以下制程的芯片，目前最高可商业量产芯片的制程为4纳米，分别是高通骁龙8移动平台系列和联发科天玑9000。而未商业量产阶段的芯片最高可以到3纳米制程。
6. 中科院研发成功2nm光刻机是真的吗
不能
全球首个2nm芯片并不是中国制造的，而是由来自美国的IBM公司制造的，全球首颗2nm芯片位于美国纽约州奥尔巴尼半导体研究机构设计和生产。
据了解，IBM 2nm芯片的晶体管密度为333.33，比DNA单链还要更小，可以在150mm的芯片上容纳500亿个2nm晶体管，2nm芯片比7nm芯片在性能和功耗方面都有着大幅度的提升，其性能提升45%，功耗降低75%，可以延长智能手机的电池寿命和功耗排放，手机续航时间可以增长至之前的四倍。2nm制程工艺可以应用在消费电子设备、边缘计算、太空探索、5G/6G等领域。
值得注意的是，台积电不久前也推出了自家的2nm芯片，采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术，预计2025年实现量产。除了在2025年量产2nm芯片外，台积电还将在2024年引进ASML阿斯麦下一代High-NA EUV最强光刻机，用于制造比3nm更先进的工艺。
7. 中国光刻机
没有五大，只有荷兰、日本、中国四家。
目前光刻机制造商只有四家，分别是荷兰阿斯麦尔光刻机，可以制造包括高端euv光刻机全系列光刻机。日本尼康和佳能制造中低端duv光刻机。中国上海微电子可以制造28、90纳米中低端光刻机。世界上没有五大光刻机制造商，只有四家光刻机制造商，而且基本上荷兰阿斯麦尔光刻机处于市场垄断地位。
8. 中国首台5纳米光刻机
当然不是真的，目前国内还没有到这个制程，网上的消息五花八门，可信度不高，关于芯片的追赶国内还有很长的路要走，不能一口吃个胖子，是不可能实现的，要遵循科学规律一步一个脚印的去做实际的研究工作，我相信通过我们国内的科学家的努力离最高的技术不远了！