1. 造一台光刻机有多难
光刻机需要的零件众多，而且较为精密，难以制造。同时国外的技术垄断，导致无法去模仿制造。自己重新寻找途径制造的成本极高，且需要很高的试错成本。
2. 光刻机为什么难造
1.因为我们的技术有限。为了阻止我们的技术发展，西方国家阻碍了一些技术进入中国。因此，这一限制将影响中国在光刻机的发展。
2.事实上，我们的许多组件的使用取决于国际市场，在这种情况下，我们很难获得国际市场的支持。
3.ASML的成功是因为其技术的局限性，更重要的是，它把一些企业当成了自己的股东，比如三星、台积电，英特尔等等。
3. 比光刻机更难造的是什么机器
5n川光刻机和刻蚀机的区别主要表现在三个方面:
一、难度:光刻机难，刻蚀机难。
原理:光刻机打印图纸，刻蚀机根据打印的图案蚀刻掉有图案/无图片的部分，剩下的留下。
第三，流程操作不同
(1)掩模版对准:利用光化学反应原理和化学物理刻蚀方法，将掩模版上的电路图形转移到单晶的表面或介质层上，形成有效的图形窗口或功能图形。在晶圆表面，电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻技术也是芯片制造中的核心环节。
(2)、刻蚀机:通过化学和物理的方法，将显影后的电路图永久准确地留在晶圆上，选择性地去除硅片上不需要的材料。有两种蚀刻方法，湿法蚀刻和干法蚀刻。
光刻机又称掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等。
通常，光刻工艺须经历清洗和干燥硅片表面、涂底漆、旋涂光刻胶、软烘烤、对准曝光、后烘烤、显影、硬烘烤和蚀刻的过程。
刻蚀机等离子，又称等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子刻蚀机、等离子表面处理器、等离子清洗系统等。
等离子蚀刻是较常见的干法蚀刻形式。其原理是暴露在电子区的气体形成等离子体，产生的电离气体和释放的高能电子组成的气体形成等离子体或离子。当电离的气体原子被电场加速时，它们会释放出足够的力，紧紧地附着在材料上，或者利用表面斥力刻蚀表面。
4. 造一台光刻机要多久
中国最少要20年左右才能造出2纳米左右的光刻机！现在世界上最先进的光刻机制造厂家是荷兰的阿斯麦公司，他最先进的光刻机是13.5nm光源的EUV光刻机，使用台积电最先进的生产工艺现阶段能达到3nm工艺节点。中国最先进的光刻机是上海微电子90nm光刻机，与世界先进水平差距比较大！
5. 为什么光刻机这么难造
就算是28nm光刻机，也是一套很复杂的设备，精密度也是很高的，开发不成功也是很正常的，只能说我们在精密工业领域还不成熟。
精密制造向来是我们的短板，而光刻机是需要各个零部件都是非常精密的，凭一国的技术很难成功，当前荷兰的光刻机是世界领先的，但也是世界各国最尖端科技的结晶