1. 248nm光刻机
紫外光源曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。常见光源分为:可见光:g线:436nm紫外光(UV),i线:365nm深紫外光(DUV),KrF 准分子激光:248 nm, ArF 准分子激光:193 nm极紫外光(EUV),10 ~ 15 nm对光源系统的要求a.有适当的波长。波长越短,可曝光的特征尺寸就越小;[波长越短,就表示光刻的刀锋越锋利,刻蚀对于精度控制要求越高。]b.有足够的能量。能量越大,曝光时间就越短;c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]常用的紫外光光源是高压弧光灯(高压汞灯),高压汞灯有许多尖锐的光谱线,经过滤光后使用其中的g 线(436 nm)或i 线(365 nm)。对于波长更短的深紫外光光源,可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光(248 nm)、ArF 准分子激光(193 nm)和F2准分子激光(157 nm)等。曝光系统的功能主要有:平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
2. 7nm光刻机
中芯国际7nm用的14nm光刻机
3. 22nm光刻机
目前全球最先进的光刻机已经可以实现5nm的工艺制程了,它是荷兰ASML公司的极紫外光刻机(EUV),是目前全球最顶尖的光刻机设备。
中国目前最先进的光刻机应该是22nm的,它的关键部件可以实现国产化了。但中国已经可以实现14nm芯片的量产了,这是中芯国际取得的一个重大成绩。
4. 180nm光刻机
目前全球唯一能够制造euv光刻机的只有荷兰阿斯麦尔一家,并且是由几十个国家参与,十几个国家最尖端的零部件组合而成。其重量达到180吨,零部件多达十万个,就连安装调试都需要一年时间。
就比如其极紫外光光源,是用激光瞬间轰击几万个锡滴微粒而产生的,就这个精准的操作目前全球只有美国能量产。
还有蔡司镜头,其镜头平面精度要求起伏低于将一缕头发放在地球大小的平面上。
5. 248nm光刻机可以做多少nm芯片
两者光源波长不同。
arf和krf光刻机最大区别是光刻机的光源波长不同,其中krf波长为248nm,arf波长为193nm,arf光刻机的分辨率更好,技术含量更高。arf和krf都属于深紫外光范畴,也都是duv光刻机应用光源,但是光源技术上相差一代。另外,由于光源波长不同两者的光刻胶也不能通用。
6. 光刻机 28纳米
2013年之前。
荷兰阿斯麦尔的euv光刻机是于2013年面世的,应用于22纳米以下制程,为第五代光刻机。而28纳米光刻机实际上是由第四代光源193纳米深紫外光为光源的,通过浸润式的技术把光源压缩到132纳米。所以在euv面世之前都是duv光刻机来加工芯片的,并没有独立的28纳米光刻机。