1. 后道光刻机
大概300纳米。
目前越南的芯片产业链上游有芯片设计，中游有晶圆制造、相关生产制程检测设备、光罩、化学品等，下游有封装测试、相关生产制程检测设备等。在越南上游活动薄弱，设计在海外进行，芯片从其他国家进口，主要从事整机组装和零件组出口。所以越南没有前道光刻机，无法从事芯片制造，但越南可以从事后道工序既封装测试，相比于前道光刻机，后道封装光刻机的精度和难度都要小很多，大概300纳米以上完全能够应用。
2. 后道光刻机 国际水平
2.5d光刻机可以做到4纳米。
所谓2.5d光刻机实际指的是芯片制造领域内作为后道工序的封装光刻机，至于封装光刻机能做到几纳米要看前道光刻机制程是几纳米的，因为2.5d光刻机的技术要求远远小于光刻机，所以前道光刻机出几纳米制程的，2.5d就能做到几纳米的。
比如上海微电子能制造的最先进光刻机是中端28纳米duv光刻机，而却可以制造5纳米的2.5d封装光刻机。
3. 后道光刻机双工件台
双工件台，即在一台光刻机内有两个承载晶圆的工件台。在一套光刻系统里有两个硅片台，它们分别位于曝光位置和测量位置，两台独立且同时运行：
当硅片台 1 在曝光位置进行步进扫描曝光时，硅片台 2 在测量位置完成硅片的上下片、硅片三维形貌测量等准备工作，当硅片台 1 完成整个硅片的曝光后，两台交换位置和职能，如此循环往复完成硅片的高效曝光。
4. 后道光刻机原理
光刻机的精度和难度的要求都比刻蚀机高出很多,在需要光刻机加工的时候刻蚀机有些不能办到,并且刻蚀机的精度十分笼统,而光刻机对精度的要求非常高.关于光刻机，主要分为前道光刻机和后道光刻机。
前道光刻机是芯片制造过程中使用，就是把高纯硅做成的一大片圆形的晶圆上通过光刻机刻出一个一个的芯片。
后道光刻机就是把芯片用陶瓷或者树脂等封装起来。
5. 后道光刻机市场份额
光刻技术是利用光学化学反应原理，将电路图转移到晶圆表面，而光刻机是光刻工序中的一种投影曝光。光刻机就是用来实施这一加工过程的核关键设备。
目前光刻机主要可以分为IC前道制造光刻机（市场主流）、IC后道先进封装光刻机、LED/MEMS/Power Devices制造用光刻机以及面板光刻机。
IC前道制造光刻机是高端货，技术难度最大，但也是目前需求最高的。相比之下，封装光刻机对于光刻的精度要求低于前道光刻，面板光刻机主要用在薄膜晶体管制造中，与IC前道光刻机相比技术难度更低。这些，是光刻机里面的中低端市场。