1. 光刻机和光刻胶的作用
arf光刻胶和euv光刻胶主要是是光刻机光源波长不同，arf指的是193纳米波长的深紫外光光源，而euv指的是13.5纳米波长的极紫外光光源。按光刻机划代来说arf属于第四代，制作芯片的制程是130-22纳米不等。euv属于第五代，制作芯片的制程为22-7纳米。
2. 光刻机和光刻胶的作用一样吗
1、光刻就是在晶圆板上均匀的覆盖上一层光刻胶，然后利用光源对于这种光刻胶按照电路图进行照射腐蚀之后再将光刻胶进行刻蚀，就能完成电路的刻画。而冰刻就是将这个过程中的光刻胶用冰来代替，而光源用电子束来代替，以谋求完成对于光刻机的替代。
2、另外，光刻机中决定雕刻精度的就是光刻机的光源分辨率，而在冰刻技术中，这种分辨率就取决于电子束刻机。目前在全球范围内，电子束刻机的精度已经能够达到10纳米以下的水平，但如果想要做到完全的自主化，就要用国内的电子束刻机，只是国内的电子束刻机精度最高只能达到1微米，这也变相的说明了目前的冰刻技术是没办法替代光刻机的。
3. 光刻机和光刻胶的作用区别
科华微电子公司。
科华微电子公司是国内最大拥有并正常使用荷兰ASML光刻机的光刻胶公司。
定增用于智能制造生产研发基地建设项目、光刻机产业化项目。
公司光刻机产业化项目建成后主要用于生产光刻机成套装备，公司具备将业务延伸拓展至光刻机产线整体解决方案的技术实力。
4. 光刻机和光刻胶有什么关系
光刻机最大噱头是光源为13.5纳米的ASML光刻机，台积电用这型号光刻机，实现了5纳米制程，而英特公司和三星公司没有做到，特别要注意这里不是五纳米线宽，而是制程。线宽是光刻机的性能指标，是长度单位，极限值是衍射极限值，一般接近波长值，大于波长值，所以很容易有这样的错误想法：
注意台积电实现了5纳米制程，而不是ASML光刻机实现的，三星也用了，它至今没有达到5纳米制程，特别要注意不是达到了5纳米线宽。但是，很多人在混淆这个概念，直接就说ASML光刻机是5纳米光刻机，国产只能实现90纳米。如果理解成线宽，都接近或微微超过半宽度，如果这样理解，国内又无法开发出13.5纳米光源，赶上和超越ASML光刻机，只能是水中捞月的空幻。
所以，一定要注意线宽和制程的区别！ASML的光刻机只能接近衍射极限，台积电的制程是台积电的说法，只说明用的比三星英特好，制程不是长度概念。第二，衍射极限接近波长不准确，应该是衍射极限值=波长/Na，Na值在0.05到0.75之间。13.5纳米光源由于只能采用离轴光路，这是致命的，又只能采用反射式光路，球差和平场两个要求难保证，所以一般Na值0.05。而193纳米光源水浸润后相当于132纳米光源，Na值一般0.5。所以两种光源几乎无差异。而193纳米光源特殊设计镜头， 使Na值达0.75，就有可能达到比13.5纳米更好的效果。
第三，那么台积电的制程比三星和英特更好又是什么回事？使用光刻机还有几个因素：一，光刻胶，布胶是有讲究的，它也决定最后刻线宽度。二，电路的掩膜制造，也决定最终线宽。三，五纳米制程的真实的线宽是，每平方毫米5000万只晶体管，每平方微米50只，单个晶体管占20000平方纳米，也就是平均140纳米的见方。比起13.5纳米波长，相差十倍多，所以对193纳米浸润后的光源相当于132纳米，都在衍射极限以内。
我最近关于麦氏方程组的研究，发现这个衍射极限值是否是它，我已经怀疑，这是以后的事。第四，刻线宽度是否可以突破上述这个值，不完全取决于这个值，还和光刻机的使用有关系，这个可以用衍射理论说清楚的，这里我不讲。第五，本来光刻机和它的应用，已经触及衍射极限，本该有一个基础理论的重大突破，它的意义远远大于光刻机的极限线宽。
5. 光刻机和光刻胶的作用是什么
光刻胶的作用是辅助光刻机进行工作，没有掩蔽作用