1. 14nm国产光刻机
指的是14nm芯片量产。
光刻机14nm量产实际上指的是使用光刻机可以量产14nm的芯片，并不是14nm制程光刻机设备量产。目前最高端光刻机是13.5nm极紫外光光源波长的光刻机，没有14nm光源波长的光刻机。这种类型一般用于高端芯片，比如5nm、7nm。而14nm芯片量产指的是光源波长193nm的duv光刻机通过技术实现14nm芯片量产。
2. 国产 光刻机 28nm
28nm光刻机相当于欧美九十年代的水平，现在最先进的光刻机是5nm。
3. 14nm国产光刻机 良品率
理论上可以生产7nm芯片。
国产28nm光刻机可以生产7nm芯片。28nm光刻机也就是duv深紫外光光源波长的光刻机，目前该类型光刻机最高制程就是7nm。能够达到duv光刻机7nm芯片量产的有台积电和三星两家，而中芯国际也能制造7nm芯片，只不过良品率没到量产阶段，其7nm芯片晶体管密度能达到台积电10nm水平。
4. 12nm国产光刻机
关于这个12nm工艺，应该是中芯国际在上海的子公司中芯南方的工艺。去年12月，中芯国际就表示，已经实现12nm工艺小批量试产，相比14纳米工艺，晶体管尺寸有所缩减，功耗降低20%、错误率降低20%，总体性能提升10%。所以说，这个12纳米量产从技术角度来说，应该问题不大。
5. 国产光刻机55nm
芯片制程：
1971年10微米；（英特尔推出4004处理器）1974年6微米；1978年3微米（1978年美国第一台g线光刻机DSW4800）1982年1.5微米；
1985年1微米（1985年中国第一台g线光刻机）1987年800纳米；1990年600纳米；1993年350纳米；1996年250纳米；1999年180纳米；2001年130纳米；2003年90纳米；（asml与台积电联合制造的机沉浸式光刻机TAT：1150i）2005年65纳米；2007年45纳米；（asml与台积电联合制造的量产版沉浸式光刻机TXT：1900i）2009年32纳米；2012年22纳米；2014年14纳米；（2013年asml首台量产版EUV光刻机NXE3300B交付使用）。2016年10纳米；2018年7纳米；2020年5纳米。