1. 国产 光刻机 28nm
中国有自己的光刻机，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光实现了22nm分辨率的超分辨光刻装备，为纳米光学加工提供了全新的解决途径。
虽然ASML光刻机技术先进，但荷兰并不是一国之力就能制造的。 其中，光学仪器来自美国，透镜组件来自德国蔡司，另外5万个零件也依赖海外进口。
虽然中国已经突破了22纳米光刻机的技术，但与荷兰ASML公司的5纳米水平仍然有很大差距。 但是，技术总是从无到有，从有到优的过程，就像万事难以开始一样。 现在，国产光刻机已经有了良好的开端，相信不会让国民失望。 同时，中国在科技领域创造的奇迹已经不少了。
在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，使光束透过绘有电路图的掩模，用物镜补偿各种光学误差，将电路图按比例缩小映射到硅片上，用化学方法显影，刻在硅片上的电路图
2. 国产光刻机14纳米
14纳米。在前道光刻机的研发上,贺荣明领导的上海微电子也进步神速,2020年突破90纳米制程,2021年突破28纳米制程,现在,贺荣明正在带领团队向14纳米制程光刻机冲刺。
3. 国产光刻机10nm
中国光刻机目前还无法达到10纳米，目前最高只能到28纳米。
国内唯一能制造光刻机的企业是上海微电子，目前实验机已经达到28纳米精度，如果配合中芯国际的n+1、n+2芯片制造技术，有望能达到制造趋近于7纳米芯片的条件。但该光刻机依然是以193纳米深紫外光为光源的，和荷兰阿斯麦尔的13.5纳米极紫外光光源的euv光刻机还有很大差距。目前还无法得知我国何时能研制出euv极紫外光光源光刻机。
4. 国产光刻机55nm
属于低端工艺制程水平。
55纳米芯片属于低端工艺制程水平。芯片的工艺制程水平基本上是以如下制程区分高中低水平的。14纳米以下使用euv光刻机制造的为高端芯片，14-45纳米制程阶段为中端水平，45纳米制程以上为低端制程水平。所以55纳米为低端工艺制程水平。
5. 中国唯一一台7nm光刻机
中国研制成功7nm光刻机是假的，这是谣言，目前光刻机的研发还对于祖国发展有所限制