1. 光刻机透镜
光刻机一般是用惰性气体激光。
光刻机通常是用惰性气体产生的准分子激光，准分子激光是一个冷的紫外光，它是准分子产生的激光，就是一种准分子物质。这种物质叫二聚体气体，这种气体在强烈的一些电厂的照射下，它会产生一种紫外光，这种紫外光，叫准分子激光，这种准分子是一种相当不稳定的物质，它稍纵即逝，我们称它为准分子。光子能量波长范围为157－353纳米，寿命为几十毫微秒。阿斯麦尔的EUV光刻机用的是CO2产生激光，再轰击锡滴产生13.5纳米的极紫外光。
2. 光刻机透镜 公司
光刻机是用于芯片制造的核心设备，按照用途可以分为用于生产芯片的光刻机、用于封装的光刻机和用于LED制造领域的投影光刻机
光刻机的核心原理就是一个透镜组，在精度上首先有个概念：现在芯片的线条精度已发展到10nm级别，而较大的原子直径是将近1nm，把芯片放在电子显微镜下即可清晰地数出每个线条上有几个原子。
芯源微、华特气体、清溢光电等光刻机龙头可大胆买入，长线持有。
3. 光刻机透镜谁生产
不是，主流的英特尔处理器会有20亿个晶体管，高端产品可以达到60亿个，一个个的链接方法不现实，所以采用光刻蚀技术。
光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。
这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。
刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。
每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。
设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步（每一步进行一层刻蚀）。
而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂。
当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。
短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。
通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。
4. 光刻机透镜的基本原理
首先，二者发光原理不同。
DUV光刻机光源为准分子激光，而EUV光刻机则是激光激发等离子来发射EUV光子。通过不同方式，二者发出的光源也不同。其中，DUV光刻机的波长能达到193纳米，而EUV光源的波长则为13.5纳米。
二者之间的差距十分明显，波长越短，所能实现的分辨率越高。这让EUV光刻机能够承担高精度芯片的生产任务。
其次，二者的光路系统有着明显的差异。
DUV光路主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm；而干法光刻机则不会如此，其介质为空气。
而EUV光刻机则是利用的光的反射原理，内部必须为真空操作。这是因为，EUV光刻机的光源极易被介质吸收，只要真空才能最大程度保证光源能量不被损失。
最后，EUV光刻机镜头难度更大。
5. 光刻机透镜系统
需要定期更换。
光刻机光源是需要定期更换的，严格来说是光刻机的紫外光光源会随使用度而衰减而需要更换。晶圆厂一般是24小时不停机生产的，24小时高强度使用下，不仅光源系统中激发深紫外光或极紫外光光源的物质、物镜系统的透镜镀膜会不会损伤或剥落，从而需要定期更换，更换就不得不向美国、德国购买。