1. 国内krf光刻胶
光刻机分G线、I线、KrF、ArF和EUV几个等级，每个级别的光刻机需要不同分辨率的光刻胶，其中KrF、ArF和EUV光刻胶属于高端产品，技术要求特别高。日本企业经过长期的技术积累和资金投入，实力雄厚，拥有多家巨头企业，基本一统天下，无人能与之争锋。
2. KrF光刻胶
到了90年代末，半导体制程工艺发展到350mm以下，g线和i线光刻胶已经无法满足这样的需求了，于是出现了适用于248nm波长光源的KrF光刻胶和193nm波长光源的ArF光刻胶。它们都属于深紫外光刻胶，和g线、i线有质的区别。
随后的20年里，ArF光刻胶一直是半导体制程领域性能最可靠、使用最广泛的光刻光源。在21世纪以后，在浸没光刻、多重光刻等新技术的辅助下，ArF光刻系统突破了此前65nm分辨率的瓶颈，在45nm到10nm之间的半导体制程工艺中，ArF光刻技术仍然得到了最广泛的应用。
3. KrF厚膜光刻胶
光刻是集成电路最重要的加工工艺，他的作用，如同金工车间中车床的作用。光刻是制造芯片的最关键技术，在整个芯片制造工艺中，几乎每个工艺的实施，都离不开光刻的技术。
光刻机的工作原理： 利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。
简单点来说，光刻机就是放大的单反，光刻机就是将光罩上的设计好集成电路图形通过光线的曝光印到光感材料上，形成图形。
光刻机的研发：
参加光刻机的研发的不但有中国科学院那样的顶级科研院所，也是有清华大学、北京大学、科技学院等一众高等院校，也有上海微电子等很多优秀的光刻公司。
全国上下往往要在光刻行业资金投入这么大时间，并不是是光刻销售市场的市场前景有多么好，只是EUV设备现在已经是集成ic国产化路面上的拦路虎。如果不越过这道窠臼，那老美就可能再次用芯卡到大家的“颈部”，大家更无法弥补该有的“自尊”。
振奋人心的是，中国光刻产品研发进度沒有使我们心寒，超出了预估。
在高档光刻行业，清华提升并独立把握了EUV最关键的灯源技术，为国内高档光刻机的问世铲除了较大的阻碍。
在中低档光刻行业，上海微电子的国内90nm光刻机早就踏入商业，各类技术均十分完善。此外，该公司上年自研的28nm光刻机也顺利完成了相对应的技术检验与验证，预估年末便可宣布退出，并且其曝出精密度与DUV光刻机在同一范畴内。
在光刻技术的自主创新上，中国科学院集团旗下的“上海市电子光学精密的机器设备研究室”（通称“光机所”），完成了OPC技术的升級，该技术能够在EUV硬件配置设备不会改变的状况下，再一次提升 屏幕分辨率和光刻精密度。此项中国光刻技术，有希望持续颠覆性创新，摆脱传统式集成ic物理学極限的束缚。
“中国芯”还远吗？
尽管在光刻机仅仅芯片制造全产业链上千种设备的在其中一种罢了，可是因为其繁杂、高精密、价格昂贵的特点，再加上社会舆论的衬托，基本上任何人都觉得，只需提升了光刻设备的封禁，就相当于完成了“中国芯”。
也许这类叫法有一些托大，但毫无疑问，光刻机确实是中国芯片破冰之旅的重要。更关键的是，别的半导体材料技术、设备也都是在全面开花。
中国电科的全谱系国产化离子注入机，中微半导体的5nm蚀刻机，南大光电的Krf光刻胶、中芯的第二代FinFET生产制造技术这些，都证实了这句话：围攻下，缺啥就造哪些！
伴随着光刻设备的相继“到位”，万事具备的国内半导体产业，间距完成“中国芯”还会继续多远？
在光刻设备国产化的难题上，北京大学林毅夫专家教授公布表态发言，在国外封禁技术、ASML回绝给予设备的状况下，中国或将在三年内就能进行提升。
在高档集成ic的国产化难题上，TCL创办人李东升表明：处理高档集成ic，也许会碰到许多摩擦阻力，但不容易用很久，也许五年時间就可以了。
4. krf光刻胶和arf光刻胶
面板光刻胶
光刻胶是LCD面板制造的关键材料，根据使用对象的不同，又可分为RGB胶、BM胶、OC胶、PS胶、TFT胶等。
面板光刻胶主要包括TFT配线用光刻胶、LCD/TP衬垫料光刻胶、彩色光刻胶及黑色光刻胶四大类别。其中TFT配线用光刻胶用于对ITO布线，LCD/TP沉淀料光刻胶用于使LCD两个玻璃基板间的液晶材料厚度保持恒定。彩色光刻胶及黑色光刻胶可赋予彩色滤光片显色功能。
半导体光刻胶
目前，KrF/ArF仍是主流的加工材料。光刻技术随着集成电路的发展经历了从G线（436nm）光刻，H线（405nm）光刻，I线（365nm）光刻，到深紫外线DUV光刻（KrF248nm和ArF193nm）、193nm浸没式加多重成像技术（32nm-7nm），在到极端紫外线（EUV，＜13.5nm）光刻的发展，甚至采用非光学光刻（电子束曝光、离子束曝光），以相应波长为感光波长的各类光刻胶也应用而生。
5. krf248nm光刻胶
现阶段规模以上的IC加工厂（Foundry）都是采用EUV/DUV光刻技术，PIC芯片领域也基本如此，主要是因为DUV光刻一次性曝光就能全部显影，速度比较较快，适合于大规模生产。
DUV光刻技术主要是利用掩模版（mask）的图形，对Si波导层进行选择性的曝光，曝光过后再通过显影液溶解，就能出现波导图形（负胶情况下曝光区域保留/正胶情况下非曝光区域保留）。
现阶段用于硅光芯片加工的激光光源主要有两种：248nm KrF准分子激光器/193nm ArF准分子激光器。
当前硅光工艺平台以8 英寸晶圆，193nm光刻为主，这种工艺平台能够加工的最小特征尺寸（最小的波导宽度）为90nm~180nm不等。
这种精度通常没办法加工gap很小的定向耦合器，高精度光子晶体，以及特别尖的锥形波导结构。