1. 22nm的光刻机什么时候研发出来的
属于中端水平。光刻机13.5nm以下是euv高端光刻机，14-42nm属于中端水平，42以上属于低端水平。一般中端光刻机28nm的比较常见，你说的22nm这个应该是指那种超分辨率365nm波长的光刻机，这种是等离子光刻技术，跟通常说的投影式光刻机不同，这种是直写式，效率非常低也无法刻复杂电路。
2. 中国22nm光刻机
区别是光源波长不同。
首先要说目前并没有7nm光刻机，现在最高端光刻机是荷兰阿斯麦尔公司的euv13.5nm极紫外光光源光刻机。该类型光刻机可以用于制造22nm制程以下的芯片，包括7nm和14nm。而通常由于成本问题14nm芯片是由duv193nm深紫外光光源光刻机制造的，7nm虽然也能制造但良品率不高一般是由euv光刻机制造。总的来说7nm和14nm制程芯片是由两种不同光源波长的光刻机制造的。
3. 28nm的光刻机
28纳米光刻机不仅能用来生产28纳米芯片，更有望通过多重曝光的方式生产14纳米、10纳米、7纳米芯片，只是工艺难度加大，良率会有所降低。
此外，美国商务部近日发布一项临时最终规定，对芯片设计工具软件EDA进行出口管制，包括GAAFET(全栅场效应晶体管)结构集成电路所必须的ECAD软件;金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料等四项技术。目前全球EDA厂商大约共有六七十家，但能排在第一梯队的也就只有三家，美国Synopsys(新思科技)、美国Cadence(楷登电子)和西门子明导MentorGraphic;第二梯队的美国仿真巨头ansys、中国的华大九天等，拥有细分领域的全流程EDA工具，在某些点工具上也具有一些优势，约占全球市场份额的15%
4. 248nm光刻机
主要是光刻机光源波长不同。
光刻机按光源波长分类可分五代，分别是13.5纳米的极紫外光光源、193纳米的arf深紫外光、248纳米的krf、365纳米的iline、436纳米的gline等五代。i线是指365nm就是iline，g线是指436nm就是gline，高压汞灯中能量最高的两个谱线。波长越短，光刻分辨率越高。iline和gline光刻机最主要的区别就是光源波长不同。
5. 32nm光刻机
2007年。
早在2007年的时候，上海微电子就已经造出了90nm的光刻机样机，但是足足用了9年才将其量产。
国内最大的光刻机设备商是上海微电子，现在量产了的是90nm的光刻机，而ASML的EUV光刻机已经能够制造3nm制程的芯片。
这中间隔了90纳米、65纳米、45纳米、32纳米、22纳米、14纳米、10纳米，7纳米，5纳米等9个芯片工艺世代。
6. 22nm光刻机研制成功
没有突破到22纳米。
国产光刻机目前能量产的制程是90nm，这是上海微电子制造的设备，该公司也是全球四家光刻机制造商之一。上海微电子公司去年28nm光刻机已经通过技术检测和验证，预计今年可以提供给采购方。而22nm这种制程的光刻机应该没有被列入该公司计划。