1. euv光刻技术
是台积电、三星、英特尔。
光刻机拥有量排名主要有三家，第一是台积电，其高端euv光刻机大约70台，duv光刻机大概二百台。
第二是三星公司，其高端euv大约20台。
第三的英特尔高端euv光刻机不到10台。
这三家基本垄断了所有euv光刻机，至于duv光刻机很多代工厂都有，但也是这三家最多。
2. EUV光刻技术
arf光刻胶和euv光刻胶主要是是光刻机光源波长不同，arf指的是193纳米波长的深紫外光光源，而euv指的是13.5纳米波长的极紫外光光源。按光刻机划代来说arf属于第四代，制作芯片的制程是130-22纳米不等。euv属于第五代，制作芯片的制程为22-7纳米。
3. euv光刻技术论文
EUV，中文是极紫外光刻。它是光刻技术的一种。
EUV是现在最领先的光刻技术。它以波长为10~14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5纳米。这一技术能够让芯片工艺扩展到32nm以下。
EUV光刻系统有两个特点：
可精确控制光束，其精度就好比从地球上发出的手电筒光线。可以照到放置在月球上的一枚50分欧元硬币一样。
使用的镜片需极度平摊。假设你要制作一个像德国般大小的镜片，其最高凸起物必须低于1毫米高。
一套EUV光刻系统包含一个重达7600公斤的大型真空室，而一套EUV光刻系统有18万公斤重。
4. EUV光刻技术的发展历史
光刻机技术是法国人Nicephore Niepce发明的。光刻技术要追溯到1900年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复制一种刻蚀在油纸上的印痕(图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。
经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。
通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的复制品。1961年，光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um。之后，光刻技术正式登上推动集成电路发展的大舞台。1960年代的接触式光刻机、接近式光刻机；1970年代的投影式光刻机；1980年代的步进式光刻机；再到步进式扫描光刻机，浸入式光刻机和现在的EUV光刻机，设备性能不断提高，推动集成电路按照摩尔定律往前发展。
5. euv光刻技术优势
即采用光源波长在极紫外波段范围的光刻技术。在空气环境中，光刻技术最具标志性的技术指标分辨率 R=k1*λ/n*NA，真空中n=1。由此可见，提高分辨率有三种途径，即减小工艺因子k1、减小波长λ、增大数值孔径 NA。根据焦深公式 DOF=k2*λ/（NA)2可知，增大数值孔径虽然可以提高分辦率，但也会降低焦深，影响成像效果，因此发展光刻技术最有效的手段为缩短光源波长。
6. euv光刻技术专利排名
大多数是美国、荷兰、德国、日本等国的。
光刻机是种非常复杂的光电、机械、化学、物理等科学领域技术构成的大型设备，所以光刻机整体并没有专利技术，只要有能力就可以制造，但是涉及到其中的零件或零件组及一些制造应用技术就有专利权了。目前大多数专利在美国、荷兰、德国、日本、韩国等国手里，比如在EUV光刻技术专利最早优先权国家/地区的对比中，日本占比为45.5%，排第一位，美国占比为30.27%，排第二位，第三位为德国，占比13.5%。