一、中国7纳米光刻机
能量产14纳米芯片。
2022年中国光刻机能生产14纳米芯片。目前我国芯片制造工厂最高可以批量生产14纳米芯片，而技术上可以生产7纳米芯片，不过目前良品率不高无法量产。而上海微电子去年28纳米光刻机已经通过技术检测和验证，该光刻机完全可以和阿斯麦尔光刻机一样制造14纳米芯片。
二、中科院宣布2nm芯片
是真的，中科院研发的叫做叠层垂直纳米环栅晶体管，可以用于2纳米以下工艺。不过，这只是一种晶体管结构，距离实际应用还有很长的距离。
我们知道，半导体芯片发挥作用的就是晶体管。芯片的的技术水平，一般也要看每平方毫米多少晶体管。例如，Intel的芯片，10纳米技术节点，晶体管密度达到了1亿个晶体管，基本与三星的7纳米工艺相当，比台积电的7纳米芯片还要高一点。
晶体管也是多种多样的，以适应不同的无需求。每一种结构，各有特点，对芯片性能影响很大。例如，Intel的芯片广泛使用的FinFET工艺，采用的是鳍式晶体管，这个技术已经被广泛应用，在22、16、12、7等工艺节点上应用广泛。各大厂商基本都用这个设计，我国中芯国际，在14纳米工艺上开始使用这一技术。
但是，半导体发展到5nm、3nm节点，原有的鳍式晶体管已经不能满足需求了，就需要研发新型晶体管，来代替以前的设计方案。这些设计方案中，最有希望的GAA环绕栅极晶体管。据说，三星公司就计划在3纳米技术节点使用GAA环绕栅极晶体管。而第一家使用鳍式晶体管的企业Intel在5纳米就转向GAA技术。而台积电，也要在3纳米或者2纳米节点转向GAA技术。
具体到中国，就遇到麻烦了，美国已经严令GAA环绕栅极晶体管技术不得向中国提供。那么，中国势必要研发自己的技术应对。基本来说，中国是两条腿走路，一方面，自己研发GAA 技术，我国的复旦大学就已经进行了验证，已经可以发展出自己的技术。另一方面，研发自己的新型晶体管结构，这就是中科院研发的新型垂直纳米环栅晶体管，它被视为2nm及以下工艺的主要技术候选。
技术储备有了，但是实现技术也是个难题，中国目前没有极紫外光刻机，哪怕技术有了储备，也要等制造设备到位，这是个漫长的过程。
中科院攻克2nm芯片关键技术这件事是真的。
不过不用过于高兴，因为该技术只是制造芯片众多环节中的一个关键技术，严格来说它属于芯片设计的范畴。不是说攻克了该关键技术很快就能制造出2nm芯片。相反，我国离制造出2nm芯片还很遥远，还有很多难关要攻克，比如制造2nm芯片所需的光刻机丶光刻胶丶离子注入设备等等。
中科院攻克的2nm芯片关键技术是指成功研发出了新型垂直纳米珊晶体管。这种新型晶体管被视为2nm及以下工艺的主要技术候选。该技术比之前三星宣布的3nm工艺需要采用的GAA环绕珊极晶体管性能更强，功耗更低。
该技术的诞生说明我国的芯片设计能力己处于世界前列，跟世界顶尖国家基本上属于同一个水平。
哎！看到标题很兴奋，详细了解后，难免还是有些失望！该技术就象你得到了宫庭秘传胡辣汤中那几片牛肉的做法秘诀，但是，汤中放什么料以及配比的秘方还没有，做胡辣汤的锅丶碗丶勺丶瓢丶盆也没有，只能吧哒吧哒嘴，把快流出的口水咽了。
不过，随着国家的大力支持，一个个象这样的技术被攻克，我们总是离制造出高制程的芯片更近一步。
三、中国7纳米光刻机最新消息
很难预计。
我国最大的芯片代工厂中芯国际。因为没有生产7nm芯片的主要设备EUV光刻机。目前只能量产28nm芯片。
四、中国7纳米光刻机被抵押
是的，把光刻机5.7亿元抵押给武汉农商银行。
五、中国7纳米光刻机被低压为什么不拿出来
是真的，从荷兰进口的。只不过被抵押借了贷款，现在武汉宏芯已经烂尾了
六、中国7纳米光刻机什么时候出来
中国光刻机目前还无法达到10纳米，目前最高只能到28纳米。
国内唯一能制造光刻机的企业是上海微电子，目前实验机已经达到28纳米精度，如果配合中芯国际的n+1、n+2芯片制造技术，有望能达到制造趋近于7纳米芯片的条件。但该光刻机依然是以193纳米深紫外光为光源的，和荷兰阿斯麦尔的13.5纳米极紫外光光源的euv光刻机还有很大差距。目前还无法得知我国何时能研制出euv极紫外光光源光刻机。
七、中国7纳米光刻机突破
中国研制成功7nm光刻机是假的，这是谣言，目前光刻机的研发还对于祖国发展有所限制