一、光刻机谁发明出来的
光刻机是法国人Nicephore niepce（尼埃普斯）发明的，起初是Nicephore niepce发现了一种能够刻在油纸上的印痕，当其出现在了玻璃片上后，经过一段时间的暴晒，透光的部分就会变得很硬，但是在不透光的部分可以用松香和植物油将其洗掉。
光刻机（lithography）又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。
二、光刻机是哪年发明的
2013年之前。
荷兰阿斯麦尔的euv光刻机是于2013年面世的，应用于22纳米以下制程，为第五代光刻机。而28纳米光刻机实际上是由第四代光源193纳米深紫外光为光源的，通过浸润式的技术把光源压缩到132纳米。所以在euv面世之前都是duv光刻机来加工芯片的，并没有独立的28纳米光刻机。
三、光刻机的诞生
“龙芯”是目前国产芯片中自主化最高的一款芯片，拥有着绝对的自主权，在核心技术上基本已经剔除了国外的技术占比，第一颗的龙芯在2002年就诞生了，经过了18年的技术攻克，龙芯完全称得上“中国芯”的称号。龙芯用的是荷兰ASML公司DUV光刻机。
四、光刻机技术是哪个国家发明的
越南没有光刻机，所以不会有发展史。
通常来说光刻机指的是前道光刻机，既极紫外光光源的euv和深紫外光光源的duv光刻机。能够制造光刻机的只有荷兰、日本和中国三个国家，没有越南。越南和其他东南亚国家作为芯片行业链条上的一环，实际上是其他国家在那投资，而且通常是做后道工序的，也就是芯片的封装测试。所以越南的光刻机是封装光刻机。
五、光刻机谁发明出来的最早
1947年，贝尔实验室发明第一只点接触晶体管。从此光刻技术开始了发展。
1959年，世界上第一架晶体管计算机诞生，提出光刻工艺，仙童半导体研制世界第一个适用单结构硅晶片。
1960年代，仙童提出CMOS IC制造工艺，第一台IC计算机IBM360，并且建立了世界上第一台2英寸集成电路生产线，美国GCA公司开发出光学图形发生器和分布重复精缩机。
1970年代，GCA开发出第一台分布重复投影曝光机，集成电路图形线宽从1.5μm缩小到0.5μm节点。
1980年代，美国SVGL公司开发出第一代步进扫描投影曝光机，集成电路图形线宽从0.5μm缩小到0.35μm节点。
1990年代，n1995年，Cano着手300mm晶圆曝光机，推出EX3L和5L步进机； ASML推出FPA2500，193nm波长步进扫描曝光机。光学光刻分辨率到达70nm的“极限”。
2000年以来，在光学光刻技术努力突破分辨率“极限”的同时，NGL正在研究，包括极紫外线光刻技术，电子束光刻技术，X射线光刻技术，纳米压印技术等。
六、光刻机谁发明出来的呢
有人认为现代光刻技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore niepce开展的各种材料光照实验。
有人认为全球光刻巨头ASML的EUV光刻机是全球半导体人才的智慧结晶，并非具体谁发明的技术!
七、中国造出了光刻机
1.双工件台华卓精科自2012年成立，用了10年的时间，在双工件台技术方面，取得了重大突破。2016年，华卓精科与清华大学共同研制出两套光刻机双工件台掩膜台系统α样机，并成功通过验收。2020年4月，华卓精科向上海微电子发货首台DWS双工件台，应用制程达到65nm；2021年6月，完成28nm制程ArFi光刻机的DWSi系列双工件台的详细设计，已在样机制造集成调试阶段。这项技术的重要性，不言而喻，加上华卓精科全世界只有两家拥有该技术。因此，攻破双工件台技术的壁垒，不仅打破了国外的技术垄断，更为国产光刻机的研发提供了技术保证。
2.光源系统技术国内研究光刻机的光源系统技术，属北京科益虹源最为成熟，也成功掌握了193nm ArF准分子激光器制造，可用于28nmDUV光刻机上。