1. 光刻机是刻什么
刻蚀机和光刻机的区别：光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。
刻蚀相对光刻要容易。如果把在硅晶体上的施工比成木匠活的话，光刻机的作用相当于木匠在木料上用墨斗划线，刻蚀机的作用相当于木匠在木料上用锯子、凿子、斧子、刨子等施工。蚀刻机和光刻机性质一样，但精度要求是天壤之别。木匠做细活，一般精确到毫米就行。做芯片用的刻蚀机和光刻机，要精确到纳米。
现在的手机芯片，如海思麒麟970，高通骁龙845都是台积电的10纳米技术。10纳米有多小呢？
打个比方。如果把一根直径是0.05毫米头发丝，按轴向平均剖成5000片，每片的厚度大约就是10纳米。现在世界上最先进的光刻机是荷兰的ASML公司，最小到10纳米。台积电买的都是它的光刻机。
ASML公司实际上是美国、荷兰、德国等多个国家技术合作的结果。因为这方面的研究难度太大，单个国家完成不了。除了ASML，世界上只有我们还在高端光刻机上努力研发。
我们是受到技术禁运的，不能买他最先进的产品，国内上海量产的是90纳米的光刻机。技术上有差距。2017年，长春光机所“极紫外光”技术获得突破，预计能达到22-32纳米，技术差距缩小了。
我相信，不久的将来，我们的科技人员一定能研制出世界一流的光刻机，不再被卡脖子。核心技术、关键技术、国之重器必须立足于自己。科技的攻关要摒弃幻想，靠我们自己。
我们刻蚀机技术已经突破，5纳米的刻蚀机我们也能自主生产，现在卡脖子的是光刻机。在芯片加工过程中，光刻机放样，刻蚀机施工，清洗机清洗。然后反复循环几十次，一般要500道左右的工序，芯片——也就是晶体管的集成电路才能完成。放样达不到精度，刻蚀机就失去用武之地了。
什么是光刻机
光刻机（Mask Aligner） 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
Photolithography（光刻）意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
光刻的目的
使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。
光刻机工作原理
测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是本次所说的双工作台。
光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。
能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。
光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。
遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。
能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。
掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。
掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。
物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。
硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。
内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。
光刻机分类
光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。
A 手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；
B 半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；
C自动：指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
光刻机可以分为接近接触式光刻、直写式光刻、以及投影式光刻三大类。接近接触式通过无限靠近，复制掩模板上的图案；投影式光刻采用投影物镜，将掩模板上的结构投影到基片表面；而直写，则将光束聚焦为一点，通过运动工件台或镜头扫描实现任意图形加工。光学投影式光刻凭借其高效率、无损伤的优点，一直是集成电路主流光刻技术。
光刻机应用
光刻机可广泛应用于微纳流控晶片加工、微纳光学元件、微纳光栅、ＮＭＥＭＳ器件等微纳结构器件的制备。
刻蚀机是什么
实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
刻蚀机的原理
感应耦合等离子体刻蚀法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，然后从真空管路被抽走。
2. 光刻机是啥
光刻机是用来生产芯片
3. 光刻机是刻什么字的
优缺点如下：
湿法刻蚀⼯艺的优点是设备简单，刻蚀速率⾼，选择性⾼。缺点是湿刻蚀刻剂化学物质去除了掩膜材料下⽅的基板材料，还需要⼤量的蚀刻剂化学物质。此外，必须⼀致地替换蚀刻剂化学物质，以保持相同的初始蚀刻速率。结果，与湿蚀刻有关的化学和处理成本⾮常⾼。⼲蚀刻的⼀些优点是其⾃动化能⼒和减少的材料消耗，⼲刻（例如，等离⼦蚀刻）的成本更低。缺点是干刻的光源波长精度不如湿刻，因为湿刻是利用纯水压缩了光源波长。
4. 光刻机是怎么刻的
光刻机、等离子刻蚀刻机、反应离子刻蚀系统、离子注入机、单晶炉、晶圆划片机、晶片减薄机、气相外延炉、氧化炉（VDF）、低压化学气相淀积系统、等离子体增强化学气相淀积系统、磁控溅射台、化学机械研磨机、引线键合机、探针测试台
5. 光刻机是啥意思
光刻是芯片制造重要流程之一。简单说，就是将图纸画在硅片上，下一步，就是用刻蚀机，按照图纸，把不需要的部分刻蚀掉，从而把晶体管在硅片上刻出来。
工艺制程的指标是纳米，表示光刻和刻蚀的精度。纳米数越低，说明就可以把硅片上的晶体管做的越小。这样，同样面积的硅片，就可以刻出更多的晶体管。从而实现更高的性能，或者更低的功耗。
目前我国国产最先进的光刻机是90纳米制程，另外28纳米的光刻机据说今年底会生产出来。而世界最先进的asml光刻机已经可以做到5纳米，领先我们几代。如果采用28纳米光刻机，通过多次反射，最多可以制造11纳米芯片。
6. 光刻机什么概念
指能制5nm线宽半导体软件的光刻机
7. 光刻机是刻什么东西的
光刻机的作用是蚀刻芯片的功能及线路，当然也包括了制造处理器这样的大规模集成电路或者内存颗粒、闪存颗粒等等。--光刻机是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。可以分为两种，分别是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴芯片；以及利用类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。