1. 中国光刻机最小多少纳米
0.1nm光刻机是目前无法实现的。
以目前最高端的euv光刻机来说，最小的极限就是趋近于1nm，这是物理极限。而0.1nm就是原子本身的物理尺寸。以现在的技术手段和硬件设备根本没法实现原子排序。从193nm水层浸润式光刻机到13.5nm锡滴技术光刻机，实际上是在物理结构走到了极限。要想实现0.1nm这种原子等级的集成电路，必须要有新一代技术及新材料才有可能，可惜目前还没有。
2. 国内光刻机最高多少纳米
中国光刻机目前还无法达到10纳米，目前最高只能到28纳米。
国内唯一能制造光刻机的企业是上海微电子，目前实验机已经达到28纳米精度，如果配合中芯国际的n+1、n+2芯片制造技术，有望能达到制造趋近于7纳米芯片的条件。但该光刻机依然是以193纳米深紫外光为光源的，和荷兰阿斯麦尔的13.5纳米极紫外光光源的euv光刻机还有很大差距。目前还无法得知我国何时能研制出euv极紫外光光源光刻机。
3. 国内的光刻机最高是多少纳米的
光刻机是芯片制造过程中的重要机器，光刻机的先进程度决定了芯片的质量。
我国光刻机最高技术是上海微电子研究所的90nm工艺，它的SMEE200系列光刻机、300系列光刻机、500系列光刻机、600系列光刻机只能够达到90nm工艺水平。而像江苏无锡影幻半导体公司、合肥芯硕半导体公司都只能够拥有200nm工艺的光刻机量产能力。
世界上最顶尖光刻机是荷兰的ASML掌握，ASML占有了全球超过80％的市场份额，可以达到7nm工艺水平。
4. 国内光刻机几纳米
尼康和佳能光刻机能达到22纳米。
尼康和佳能的光刻机使用的是第四代光源技术，既193纳米深紫外光光源，但佳能和尼康当初走的是干法光刻技术，最终只能做到145纳米而停滞不前，同样一个时代的荷兰阿斯麦尔另辟蹊径用湿法光刻制作了浸润式光刻机，精度大大提高，所以走了弯路的尼康和佳能在技术上落后阿斯麦尔一整代。
5. 目前世界光刻机最小多少纳米
荷兰阿斯麦尔光刻机。
首先要说光刻机不能以大小区分，而是要以制程和光源波长等类型区分。目前全球最高端光刻机，也就是光刻机制程最小的，是荷兰阿斯麦尔公司的euv13.5纳米极紫外光光源光刻机。该光刻机目前可以制商业化量产造达到4纳米工艺制程的芯片，3纳米芯片也已经流片。
6. 中国自己的光刻机多少纳米
可以做到14纳米量产。
国内芯片目前最高可以做到14纳米商业量产阶段。国内制造芯片的最强晶圆代工厂是中芯国际，中芯国际目前可以实现14纳米工艺制程的芯片商业量产。比如华为海思麒麟717A芯片就是中芯国际代工的14纳米芯片。而且中芯国际也能够制造7纳米芯片，不过目前良品率不高无法量产。