1. euv光刻机和普通光刻机
光刻机分G线、I线、KrF、ArF和EUV几个等级，每个级别的光刻机需要不同分辨率的光刻胶，其中KrF、ArF和EUV光刻胶属于高端产品，技术要求特别高。日本企业经过长期的技术积累和资金投入，实力雄厚，拥有多家巨头企业，基本一统天下，无人能与之争锋。
2. 光刻机种类 euv
两者区别如下:
1.euv是极深紫外线，duv是深紫外线线。
2.从制程范围来看，duv基本上只能做到25nm，Intel凭借双工作台的模式做到了10nm，但是却无法达到10nm以下。只有euv能满足10nm以下的晶圆制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。
4.euv的价格是1-3亿美金/台，duv的价格为2000万-5000万美金/台不等。
3. euv光刻机干什么用的
主要是光电、化工、机械等高端技术。
euv光刻机核心系统涉及很多的高端技术，比如euv光源是13.5纳米极紫外光光源，是由激光轰击锡滴雾化微粒产生的，目前只有美国一家公司能够提供。再比如德国蔡司光学镜头组，其镜头平整度为全球最顶级的。还有超高精度双工件台技术、光刻胶技术、金属化工气象离子沉积技术等等。
4. euv光刻机中国
是duv光刻机和euv光刻机的区别，有代差。
国产光刻机目前是属于duv深紫外光光源光刻机，其光源波长为193纳米，也叫arf光刻机，是第四代光源光刻机。而euv光刻机是13.5纳米极紫外光光源光刻机，属于第五代光源光刻机。国产光刻机目前最高制程可以达到28纳米，目前处于待量产阶段。国产光刻机和euv光刻机有代差。
5. euv光刻机百科
目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是极深紫外线（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻技术。EUV已被确定为先进工艺芯片光刻机的发展方向。
DUV已经能满足绝大多数需求：覆盖7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的区别在光源方案。duv的光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。然而，euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为13.5纳米。
从制程范围方面来谈duv基本上只能做到25nm，Intel凭借双工作台的模式做到了10nm，却无法达到10nm以下。euv能满足10nm以下的晶圆权制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。
duv和euv光刻机区别还有光路系统不同。
duv：主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm。
euv：利用的光的反射原理，内部必须为真空
6. 中国有euv光刻机
印度没有光刻机。光刻机涉及多学科多专业门类,印度工业基础不行,许多工业专业生产都不能完成,光刻机又要求专业高度精密先进,印度根本无法独自完成。
极紫外线光刻机是芯片生产工具，是生产大规模集成电路的核心设备，对芯片工艺有着决定性的影响。小于5纳米的芯片晶圆，只能用EUV光刻机生产。目前荷兰是全世界光刻机制造最领先的国家。