1. 国产首台28nm光刻机是哪一年
光刻机的制造看似是一台机器的制造，实际上涉及的领域非常多，也非常复杂，因此不是短时间内能进行量产的。
目前，我国的芯片生产技术和荷兰阿斯麦尔的差距大概是10年左右。我国光刻机研发主要是在沈阳光机所进行，其实我国在14年前就开始进行布局，目前已在很多重大技术上都有了相应的突破，国产光刻机在28nm以上制程的芯片生产领域还是值得期待的，五年内实现量产的可能性极高。至于更先进制程，还需要长期的努力。
2. 国产首台28nm光刻机是哪一年的
答：中国最少要20年左右才能造出2纳米左右的光刻机！现在世界上最先进的光刻机制造厂家是荷兰的阿斯麦公司，他最先进的光刻机是13.5nm光源的EUV光刻机，使用台积电最先进的生产工艺现阶段能达到3nm工艺节点。中国最先进的光刻机是上海微电子90nm光刻机，与世界先进水平差距比较大！
3. 国产首台28nm光刻机是哪一年生产的
是真的。
光刻机，又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
我国很早就在研发光刻机，之前生产出来的只不过是低端的光刻机。2016年，上海光电就生产制造出了90纳米的光刻机，占据着我国市场80%的份额，虽说低端，但满足大多数需求是够的。象尖端手机需要的芯片我们目前还被西方国家卡脖子。但在国家的大力支持下，在国人日夜的攻坚下，上海光电28纳米光刻机已研发成功，今年明年将量产。后续我们还将继续突破。
2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。
4. 中国28纳米光刻机何时能够生产出来
什么时候出来还无法预知。
国产光刻机目前最高级别为28纳米duv光刻机，是上海微电子出产的。而所谓7纳米光刻机实际上是13.5纳米极紫外光光源光刻机，通过技术手段比如多次曝光技术加工制程7纳米及以下制程的芯片，既euv光刻机。两者相差一代，目前我国还无法制造euv光刻机，至于何时出来也无法预知。
5. 中国28nm光刻机是自主研发的吗?
28nm芯片早就可以国产化了。
国内芯片巨头中芯国际已经完全掌握14纳米芯片制造技术了，其n+1、n+2技术目前应该可以达到12纳米工艺制程，理论上可以达到7纳米工艺制程。这个用的设备应该是阿斯麦尔的四代光刻机，如果明年能上上海微电子28nm光刻机那就是纯国产，至于28nm芯片用国产90纳米光刻机也能制造，早就国产化了。
6. 第一台28nm光刻机
28nm浸液式光刻机实际是193nm光源的DUV光刻机，以水为界质缩小光源波长。
这里的“28nm光刻机”的叫法不是正确的叫法，而是193纳米ArF浸润式光刻机，其指的只是能够被用来制造出28纳米芯片的光刻机，而且爆料称该光刻机能够制造出7纳米的芯片。但又因为美国的半导体产业的制裁，该光刻机在批量生产的过程中遭到了延迟。ArFi就是浸润式ArF，也被称为DUV。这次大家寄予厚望的就是ArFi，国际上一般用于28nm及以上制程，所以这可能是其被称为“28nm光刻机”的原因。但ArFi上FinFET工艺可以做到14nm，再上多重曝光可以做到近似于7nm。
7. 国产首台28nm光刻机来了
中国28nm光刻机靠谱，确实中芯国际研发的首台。
中国国产的芯片制造技术，仍大幅度落后于国际。由中芯国际研发的光刻机，还处于28nm工艺的水平，和国际主流的7nm工艺，还有很大的差距。预计在今年下半年开始，国际芯片制造将迈入5nm工艺时代。
至于网上流传的中芯国际成功研制7nm光刻机，则没有官方消息的证明。但好消息的是，近年来，中国开始重视芯片制造技术，传闻华为已开始研究和生产光刻机，并且将采用更为先进的技术，在此也是希望华为能再次成功。