1. 我国第一台光刻机是什么时候生产
初代euv是2010年，真正商用量产机型是2016年。
2010年，阿斯麦公司首次推出概念性EUV光刻系统NXE 3100，从而开启光刻系统的新时代。2013年，阿斯麦推出第二代EUV系统NXE 3300B，但是精度与效率不具备10纳米以下制程的生产效益。2015年，阿斯麦又推出第三代EUV光刻系统NXE 3350。2016年，第一批面向生产制造的EUV系统NXE 3400B开始批量发售，NXE 3400B的光学和机电系统在技术上均有所突破，极紫外光源的波长缩短至13纳米，每小时处理晶圆125片。
2. 我国第一台光刻机是什么时候生产出来的
中国引进第一台光刻机是1985年。
3. 中国最早的光刻机
我国光刻机大约是八十年代末停滞的，不算被叫停，是国内整体产业链不行，没法持续发展。
我国上海光学机械厂最早于1977年制造了第一台光刻机，GK-3半自动型接触式光刻机，1981年生产过两台样机，但因当时我们没有顶层相关产业链支撑，即便集成电路水平在科研上很先进，但无法投入应用，后续就没国产光刻机的消息了。当初国力有限，跟西方众筹技术没法比。
4. 光刻机最早是什么时候研制成功的
光刻机技术是法国人Nicephore Niepce发明的。光刻技术要追溯到1900年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复制一种刻蚀在油纸上的印痕(图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。
经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。
通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的复制品。1961年，光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um。之后，光刻技术正式登上推动集成电路发展的大舞台。1960年代的接触式光刻机、接近式光刻机；1970年代的投影式光刻机；1980年代的步进式光刻机；再到步进式扫描光刻机，浸入式光刻机和现在的EUV光刻机，设备性能不断提高，推动集成电路按照摩尔定律往前发展。
5. 中国第一台光刻机是什么时候生产的
芯片制程：
1971年10微米；（英特尔推出4004处理器）1974年6微米；1978年3微米（1978年美国第一台g线光刻机DSW4800）1982年1.5微米；
1985年1微米（1985年中国第一台g线光刻机）1987年800纳米；1990年600纳米；1993年350纳米；1996年250纳米；1999年180纳米；2001年130纳米；2003年90纳米；（asml与台积电联合制造的机沉浸式光刻机TAT：1150i）2005年65纳米；2007年45纳米；（asml与台积电联合制造的量产版沉浸式光刻机TXT：1900i）2009年32纳米；2012年22纳米；2014年14纳米；（2013年asml首台量产版EUV光刻机NXE3300B交付使用）。2016年10纳米；2018年7纳米；2020年5纳米。