1. 0.5纳米光刻机
没有0.1纳米光刻机这种东西。
目前全球最先进的光刻机是荷兰阿斯麦尔公司生产的13.5纳米极紫外光光刻机，也就是euv光刻机。这是全球唯一高端光刻机机型，其卖给三星和台积电的euv光刻机，加工制程目前流片的已经达到3纳米精度，这是人类目前加工的最小精度。你说的0.1纳米光刻机目前没有被造出来，而且以目前的技术也远达不到这个要求。1纳米是4个原子大小，这0.1纳米比原子还小，人类没这技术。
2. 0.1纳米光刻机
1nm指的是可以做出来的晶体管的最小尺寸，1nm等于1米的十亿分之一。
目前全球最小制程的芯片是4nm，是使用荷兰阿斯麦尔13.5nm极紫外光光源euv光刻机生产的，而该光源理论极限要大于1nm，所以0.01nm这种光刻机以现有技术根本实现不了，而且整个光刻机体系从理论上是完全实现不了的，毕竟1纳米已经接近单个原子的范畴了。
3. 0.1毫米光刻机
ut光刻机是一家美国光刻机制造商。
ut光刻机美国ultratech的缩写，最后一个光刻机制造商。当年主流机型是1微米机型，当时已经很难跟佳能尼康竞争了，曾经跟intel共同开发300毫米生产线。八十年代中期尼康已经和GCA平起平坐，各享三成市占率。ut占约一成，Eaton、P&E、佳能、日立等剩下几家每家都不到5%。彼时荷兰阿斯麦尔还未成立。
4. 0.01纳米光刻机
用最先进的EUV光刻机做，因为别的光刻做不到1纳米。
5. 0.5毫米光刻机
刻机3纳米是指：
节点技术的关键尺寸，而这个尺寸不是芯片能用肉眼看到的几何尺寸(一般是毫米到厘米级别），而一般是指栅极长度（gate length）。这个长度是又掩膜版上定义好的尺寸决定的，而在生产过程中决定性的由光刻机来实现（当然也要有光刻胶，腐蚀等技术的支持才能实现）。
光刻纳米机中的”纳米“指的是产品线条宽度（工艺尺寸）。即光刻机加工的芯片线路尺寸可以达到纳米量级，即10^(-19)m，如CPU中的 5nm工艺、7nm工艺和14nm工艺。而光的频率一般在几百纳米，如可见光的波长范围一般在400nm~700nm。
6. 0.1nm光刻机
首先，光刻机是不存在1nm光刻机的，光刻机进行光刻的是有一定的适用范围的，而并不是固定在某一制程。如，ASML的NXC:3100B/C就是目前最先进的极紫外光刻机，可以完成7nm及以下制程的芯片。
而1nm制程芯片，目前台积电以表示在进行开发，而1nm制程几乎是芯片的物理极限，再小的制程就会引起电子隧穿效应，导致功耗上升和漏电的现象，并影响芯片的寿命。
目前，我们也发现，随着制程工艺的开发，更新制程芯片的研发成本越来越大，此时，摩尔定律也失去了意义。
7. 0.1mm的光刻机
光刻机镜头尺寸分析如下。
以荷兰阿斯麦尔公司生产的euv光刻机为例，如果按照轴对称非球面加工，该镜片系统口径最大540mm，加工难度非常高。光刻机镜头系统通常由数十块镜头构成物镜系统，其尺寸通常直径一米，长度两米甚至更大。各家光学镜片公司的尺寸不尽相同，但光刻机的镜片远远超过大型望远镜。
8. 0.35μm光刻机
光刻机的最小分辨率、生产效率、良率均在不断发展。光刻机的最小分辨率由公示R=kA/NA，其中R代表可分辨的最小尺寸，对于光刻技术来说，R越小越好；k是工艺常数；λ是光刻机所用光源的波长；NA代表物镜数值孔径，与光传播介质的折射率相关，折射率越大，NA越大。光刻机制程工艺水平的发展均遵循以上公式。此外，光刻机的内部构造和工作模式也在发展，不断提升芯片的生产效率和良率。
根据所使用的光源的改进，光刻机经历了5代产品的发展，每次光源的改进都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。此外双工作台、沉浸式光刻等新型光刻技术的创新与发展也在不断提升光刻机的工艺制程水平，以及生产的效率和良率。
按所用光源，光刻机经历了五代产品的发展
最初的两代光刻机采用汞灯产生的436nm g-line和365nm i-line作为光刻光源，可以满足0.8-0.35微米制程芯片的生产。最早的光刻机采用接触式光刻，即掩模贴在硅片上进行光刻，容易产生污染，且掩模寿命较短。此后的接近式光刻机对接触式光刻机进行了改良，通过气垫在掩模和硅片间产生细小空隙，掩模与硅片不再直接接触，但受气垫影响，成像的精度不高。
第三代光刻机采用248nm的KrF（氟化氪）准分子激光作为光源，将最小工艺节点提升至350-180nm水平，在光刻工艺上也采用了扫描投影式光刻，即现在光刻机通用的，光源通过掩模，经光学镜头调整和补偿后，以扫描的方式在硅片上实现曝光。
第四代ArF光刻机：最具代表性的光刻机产品。第四代光刻机的光源采用了193nm的ArF（氟化氩）准分子激光，将最小制程一举提升至65nm的水平。第四代光刻机是目前使用最广的光刻机，也是最具有代表性的一代光刻机。由于能够取代ArF实现更低制程的光刻机迟迟无法研发成功，光刻机生产商在ArF光刻机上进行了大量的工艺创新，来满足更小制程和更高效率的生产需要。
创新一：实现步进式扫描投影。此前的扫描投影式光刻机在光刻时硅片处于静止状态，通过掩模的移动实现硅片不同区域的曝光。1986年ASML首先推出步进式扫描投影光刻机，实现了光刻过程中，掩模和硅片的同步移动，并且采用了缩小投影镜头，缩小比例达到5:1，有效提升了掩模的使用效率和曝光精度，将芯片的制程和生产效率提升了一个台阶。