1. 什么是光刻机百科
刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。扩展资料：光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动1.手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；3.自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。参考资料：百度百科-光刻机，百度百科-刻蚀
2. 光刻机用的是什么光
光刻机分类按曝光方式主要分三类。
接触式曝光，掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接近式曝光，掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙（Gap），Gap大约为0～200μm。投影式曝光，在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。如果按工序分又分为三种，掩模光刻机、蚀刻光刻机和LED光刻机。
3. 光刻机是个啥
没有001nm这种光刻机概念。
001nm光刻机是不可能产生的，如果是0.01nm的话，这个制程比硅原子小25倍，目前人类根本没法分割原子，也没有何时的光源和技术能达到这个制程。如果是1纳米，以目前的极紫外光光刻机也是不可能达到的，如果换其他光源比如X光又无法控制，根本做不出批量生产的光刻机。所以001nm光刻机不仅没研究，也不存在这个概念。
4. 光刻机是啥
内部的样子：
外部的样子：
光刻机就是按照工程师给的设计图，在硅片这个地基上把芯片这座城市盖起来。但是现在芯片的功能越来越复杂，电子产品的体积却越来越小，100mm²左右的面积上要集成上百亿个晶体管。
5. 什么是光刻机?
没有一纳米光刻机。
通常说纳米是芯片的栅极宽度，目前人类已经商用的芯片可以做到4纳米。而光刻机的纳米并非如此，目前最高端的荷兰阿斯麦尔euv光刻机是13.5纳米的极紫外光，像台积电、三星这样的代工厂通过先进技术，用这个波长的极紫外光去刻制更宽度小于13.5纳米的晶体管，比如5纳米、4纳米，但光刻机依然是13.5纳米的。目前人类也没能力做一纳米光刻机。
6. 光刻机 百科
EUV极紫外光刻（Extreme Ultra-Violet）是一种使用极紫外（EUV）波长的新一代光刻技术，其波长为13.5纳米。由于光刻精度是几纳米，EUV对光的集中度要求极高，相当于拿个手电照到月球光斑不超过一枚硬币。反射的镜子要求长30cm起伏不到0.3nm，相当于北京到上海的铁轨起伏不超过1毫米。一台EUV光刻机重达180吨，超过10万个零件，需要40个集装箱运输，安装调试要超过一年时间。