1. 16nm光刻机
中芯国际去美化后的设备可以为华为生产芯片的，荷兰阿斯麦公司表示了DUV光刻机不含美国技术，可以向中国出口。
制程越小并不一定最好。就像摄像头的像素一样，像素越大不代表画质越好。芯片有一个重要的指标是密度，抛开密度谈制程都是耍流氓。制程越小，固体扩散现象越严重，寿命越短。目前肯定不止是差一台光刻机的事，技术也差很多。但是说实话，如果不是光刻机被卡脖子，中国芯片企业不至于技术发展这么慢，很简单的道理，没有光刻机来进行芯片生产实践，这样的情况下技术进步的难度比不为光刻机发愁的台积电三星高了N个档次。
7nm制成，只是耗电小，发热还要高于14nm,只是相同体量下，容纳更多二极管，所以芯片做大一倍，真的不是问题。实际上现在手机芯片内存能力过剩，7nm和5nm对大多数人来说无多大区别。未来12g闪存绝对够用，至少几nm无所谓，同等价位快慢主要看网速。最大的差距是，台积电是ASML的股东，可以优先购买ASML的最新产品。而中芯国际不但不能享受订单优先，还被美国列入禁售名单而拿不到设备。
7nm和5nm实际上没有太大普遍，都是商业宣传和竞争的噱头，现在手机技术是过剩的，服务商的网络信号还是最重要的，信号跟不上，你就是1nm又怎么样。28nm已经堪用，16nm基本够用，7nm好用，再往下性能提升有限，效费比低，摩尔定律基本也就到头来。三星和台积电的进步速度会越来越慢，中芯国际还是很有希望追上的。
中国人真累，我们的光刻机才28纳米，离最先进的技术差了足足两代半，但往后一看，实际上90%的国家是产不了光刻机的，即使是最先进的ASML也只是组装，组装精度确实秒杀所有人，不过大部分零件他也都是产不了的。
我一直在想，为什么我们老是在抱怨别人封锁呢？我们就不能在科技的大部分领域走在顶端，去封锁别人？况且人类进化中我们中国人还处在前面，中华文明一直都没有间断，中国人的聪明才智也是最高的。中国真的要奋发图强了，近几百年来一直在瞎折腾加内耗，就是没有一心发展科技，我们加油努力吧，争取再过几十年对不听话的国家或组织有能力轻松使用封锁或制裁的手段，让他们去抱怨被封锁去吧。
能耗和成品频率都是性能，这两个性能指标14nm芯片是不可能做到7nm芯片水平的。你的结论错误。你的成本计算也有问题。制程提高一代，芯片生产线建设成本至少增加一倍，多数生产原材料成本也大大增加，比如光刻胶等等。而且集成度越高，芯片布图越复杂，需要的工序步骤越多，这也增加成本。因此，制程提高一代，单颗芯片的成本（你说的一次成本）是增加而不是降低。先进制程使芯片成本降低指的是按照单个晶体管计算，先进制程因为单位面积晶体管数增加而降低。
台积电第一代的7nm工艺也没有用到EUV光刻工艺，和中芯国际的这个N+1代N+2代工艺其实是一回事，台积电第二代7nm工艺也只是用了4层的EUV光刻，7nm工艺需要三十多到光刻工序，台积电只用了八分之一而已。
围堵的的结果是逼中国趟出一条血路，美国才不管荷兰企业的死活，中国技术突破一点美国就放开一点，反正就是增加中国的成本推迟中国发展的速度，给美企赢时间。
14nm工艺目前够用了，芯片大点没有关系，只要性能跟上就行，我们可以把手机屏幕做大点，原来是6吋的屏现在做成7吋的，就可以多出来空间来放芯片和电池，目前的问题不就可以解决了吗，我们再抓紧时间研发，过不了5年我们就可以掌握更先的技术了。
就加大手机厚度，扩展内部空间，芯片位置设置散热孔。加大电池容量。现在这个情况没得改还有什么办法？再慢慢提升光刻机性能。总有一天是可以做到和外国一样的，现在不是没办法这么快改观嘛！
其实不用分析大家都明白，在此领域我们相差的不仅很多而且差距很大，这是事实，但差距这么大我们又能怎么办，除了卧薪尝胆奋起直追没有第二条道可走。两弹一星也是从无到有发展起来了，我想困难是有的，而且很大，研制发展道路也会很长，而且很艰巨，但我们已别无选择，撸起袖子加油干吧。
2. 14nm光刻机
指的是14nm芯片量产。
光刻机14nm量产实际上指的是使用光刻机可以量产14nm的芯片，并不是14nm制程光刻机设备量产。目前最高端光刻机是13.5nm极紫外光光源波长的光刻机，没有14nm光源波长的光刻机。这种类型一般用于高端芯片，比如5nm、7nm。而14nm芯片量产指的是光源波长193nm的duv光刻机通过技术实现14nm芯片量产。
3. 7nm光刻机
有代差，主要是光源波长差距很大。
首先要说没有7nm光刻机，应该是euv13.5纳米极紫外光光源光刻机。28nm光刻机属于中高端duv光刻机，其光源为193nm深紫外光光源，是准分子激光器用氟化氩。而euv是离子激光轰击锡滴产生13.5nm极紫外光，其难度非常大，两者有代差。
4. 32nm光刻机
我们所说的光刻机达到什么科技水平，其实就是他的激光光科光束大小，早期激光束有65纳米、45纳米、32纳米、22纳米14纳米，目前比较先进的有用在手机CPU上的3纳米5纳米7纳米工艺
5. 16纳米光刻机
荷兰最好的光刻机是阿斯麦尔公司生产的High-NA量产型EUV光刻机EXE:5200，价值3.4亿美元。
英特尔宣布向荷兰光刻机制造商ASML预订了一台仍在设计中的顶级EUV光刻机，为业界首家。这台光刻机型号为High-NA量产型EUV光刻机EXE:5200，是业界最强的光刻机。
据悉，由于台积电、三星、英特尔三大巨头在晶圆制造领域的竞争，导致EUV光刻机需求大增。同时，这款瞄准下一代3nm/2nm级别工艺的High-NA量产型EUV光刻机，堪称天价。
台湾媒体消息称，英特尔预定的这台光刻机，价格达到3.4亿美元，是历史上最昂贵的光刻机。
6. 中国10nm光刻机
中国3nm光刻机是假消息。
目前中国光刻机量产型为上海微电子的90nmduv浸润式光刻机，该公司28nmduv浸润式光刻机已经设计定型并处于实验状态，预计年内能达到量产状态。该机型通过n+1技术使芯片制程达到10nm精度。但要知道euv才是高端光刻机，duv只是中低端机型。euv光源为13.5nm的极紫外光，duv光源为193nm的深紫外光，两者有质的区别。
7. 13nm光刻机
90nm光刻机经过两次曝光，可以得到45nm的芯片，三次曝光最高可以达到22nm的水平。当然了曝光次数越多，芯片的良品率就越低了，所以一般情况下能够控制在28nm或者是32nm。
这样制程的芯片相当于iPhone 5/5s上使用的A6/A7处理器，同时期的处理器是高通的骁龙800（时间在12/13年）。这几款芯片的性能甚至不如一代中端神U骁龙660（17年5月）。
8. 17nm光刻机
主要是美国、德国、日本等国共有。
荷兰阿斯麦尔光刻机实际上是多国提供零部件及技术组装而成。核心零部件的镜头和光源都是来源于欧美国家，其中镜头来德国蔡司，光源美国的cymer。另外中国台湾有4家企业是ASML的主要供应商之一，比如信邦电子为ASML提供线材，公准精密提供零组件，光罩股份和家登精密为ASML提供紫外光光照盒等。ASML公布的供应商来看，前17大供应商主要集中在欧盟，美国，日本以及湾，其中美国占了9家，湾占了4家，日本占了3家，德国占了一家。