1. 5nmeuv光刻机
不先进，众所周知，光刻机是生产芯片的关键设备，向7nm、5nm这样的先进芯片的生产还得依赖由荷兰光刻机巨头ASML打造的EUV光刻机才能实现，而我国正式因为缺乏先进的光刻机设备才一直没有办法突破国产芯，目前我国国产光刻机的精度仅为90nm，上海微电子虽然已经成功研制出了生产28nm工艺的光刻机，但距离交付还需要一段时间。
2. 5NM光刻机
世界上最先进的5nm光刻机来自荷兰的ASML，这也是唯一一家可以提供最先进极紫外光刻机的厂商。
这光刻机的单价达到1.6亿欧元一台。
极紫外光刻（Extreme Ultra-violet），常称作EUV光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。
光刻技术是现代集成电路设计上一个最大的瓶颈。现cpu使用的45nm、32nm工艺都是由193nm液浸式光刻系统来实现的，但是因受到波长的影响还在这个技术上有所突破是十分困难的，但是如采用EUV光刻技术就会很好的解决此问题，很可能会使该领域带来一次飞跃。
3. 5nm光刻机技术
其实做光刻机的主要工艺差不多，但是7nm的光刻机升级到5nm，就需要一些新的工艺来实现，需要的工艺精度也更高。有些工艺只需要升级现有设备就可以提高纳米精度，但是精度一旦提高到一定程度，必须要突破传统工艺，才能实现。我们国家，目前还达不到这个水平，现在90纳米的光刻机是可以生产的，90纳米升级到65纳米相对容易些，但是再向上升，其工艺就变了。
光刻机属于集人类智慧与大成的设备，我们起步晚材料与工艺技术受国外限制，有钱也不卖给我们。即使我们买来了相关设备，也没有能力仿造，这是一个整体工艺技术无法突破造成的。希望不久的将来，我们有我们自己的技术。
4. euv光刻机7nm
是真的。
关于N十1工艺，中芯国际联合CEO梁孟松今年初透露，该工艺在功率和稳定性方面和7nm工艺非常相似，且不需要Euv光刻机。在芯片性能方面提升还不够，所以N十1工艺是面向低功耗应用领域，如汽车上芯片或家庭电器用芯片。
中芯国际把注意力集中在28纳米上。用步步为营方法充实技术积累和充实资金，去开发7nm、5nm芯片。
5. 5nm中国光刻机
5nm光刻机实际上就是14nm光刻机，所以技术难度无差别。
理论上光刻机分五代，第四代是DUV光刻机，制程为45-22nm，第五代是EUV光刻机，制程是22-7nm。机器是死的，人是灵活的，理论上的制程界限是可以通过技术手段打破的，所以通常来讲14nm以下基本都是EUV才能生产而不是22nm。
如果说有巨大差别，应该是DUV和EUV的技术差别，最大的差别就是光源，分别是193nm的深紫外光和13.5nm极紫外光，光源先进了一代。
6. 光刻机EUV
DUV是深紫外线，EUV是极深紫外线。DUV基本上做到了10nm，但是无法达到10nm以下。EUV可以向7nm、5nm、3nm继续延伸。