1. iline光刻机和arf光刻机
主要是光刻机光源波长不同。
光刻机按光源波长分类可分五代，分别是13.5纳米的极紫外光光源、193纳米的arf深紫外光、248纳米的krf、365纳米的iline、436纳米的gline等五代。i线是指365nm就是iline，g线是指436nm就是gline，高压汞灯中能量最高的两个谱线。波长越短，光刻分辨率越高。iline和gline光刻机最主要的区别就是光源波长不同。
2. ArFi光刻机
能制造duv光刻机的有荷兰、日本、中国。
目前仅有荷兰阿斯麦尔公司能制造高端euv光刻机，并能制造中低端duv光刻机。而日本的佳能和尼康可以制造duv光刻机。中国的上海微电子目前能制造90纳米光刻机，预计年底能投产28纳米光刻机。而荷兰euv光刻机由于美国的制裁，禁止出口给中国。
3. arf光源 光刻机
28nm浸液式光刻机实际是193nm光源的DUV光刻机，以水为界质缩小光源波长。
这里的“28nm光刻机”的叫法不是正确的叫法，而是193纳米ArF浸润式光刻机，其指的只是能够被用来制造出28纳米芯片的光刻机，而且爆料称该光刻机能够制造出7纳米的芯片。但又因为美国的半导体产业的制裁，该光刻机在批量生产的过程中遭到了延迟。ArFi就是浸润式ArF，也被称为DUV。这次大家寄予厚望的就是ArFi，国际上一般用于28nm及以上制程，所以这可能是其被称为“28nm光刻机”的原因。但ArFi上FinFET工艺可以做到14nm，再上多重曝光可以做到近似于7nm。
4. iline 光刻机
193nm光源是2000年之后开始用在光刻机上的。
在90年代前半期，光刻开始使用波长365nm i-line，后半期开始使用248nm的KrF激光。激光的可用波长就那么几个，00年代光刻开始使用193nm波长的DUV激光，这就是著名的ArF准分子激光，包括近视眼手术在内的多种应用都应用这种激光，相关激光发生器和光学镜片等都比较成熟。2002年台积电的林本坚博士在一次研讨会上提出了浸入式193nm的方案，随后ASML在一年的时间内就开发出样机，充分证明了该方案的工程友好性。
5. 上海微电子arf光源光刻机
士兰微，中国国际。
根据芯思想数据，上海微电子2018年出货大概在50-60台之间。根据中国半导体协会，公司在半导体设备商中排名第5，是唯一上榜的专门研究销售光刻机的厂商。而支撑上海微电子取得上述成绩的因，除了想要实现“用中国的光刻机制造中国芯”的执念之外，当然离不开公司在技术方面坚持不懈的深入研发。
6. Arf光刻机
曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。
常见光源分为:
可见光：g线：436nm
光刻机（lithography）又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。紫外光（UV），i线：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm
极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
7. alsm光刻机
目前世界上最先进的光刻机是荷兰ASML生产的EUV光刻机，其精度可以达到5nm的级别，它所需的零件超过10万个，以EUV所用的镜头为例，全部由世界顶级镜片制造商蔡司提供，他们生产的各种镜头、反光镜和其他光学部件，没有任何一家公司能模仿。