1. 双光子光刻技术
第一步是模板的加工。一般使用电子束刻蚀等手段，在硅或其他衬底上加工出所需要的结构作为模板。由于电子的衍射极限远小于光子，因此可以达到远高于光刻的分辨率。
第二步是图样的转移。在待加工的材料表面涂上光刻胶，然后将模板压在其表面，采用加压的方式使图案转移到光刻胶上。注意光刻胶不能被全部去除，防止模板与材料直接接触，损坏模板。
第三步是衬底的加工。用紫外光使光刻胶固化，移开模板后，用刻蚀液将上一步未完全去除的光刻胶刻蚀掉，露出待加工材料表面，然后使用化学刻蚀的方法进行加工，完成后去除全部光刻胶，最终得到高精度加工的材料。
2. 微电子光刻机
华微电子位于吉林省吉林市，主要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务。
上海微电子装备有限公司成立于2002年，坐落于上海张江高科技园区，主要从事大规模工业生产的投影光刻机研发、生产、销售与服务。
它们俩没有关系。
3. 光量子光刻机
光化学反应是实现光刻制程的基本原理。而所谓的光化学反应是利用光子能量作为活化剂，产生自由基，再经过一系列的反应，并最后生成和显影液反应的有机酸。
4. 3-5μm光刻机
指的是光刻机45nm工艺！首先45纳米工艺的进步得益于2006年1月，英特尔宣布了使用45纳米工艺的SRAM芯片生产成功，他们展示的这款SRAM芯片采用193纳米干法光刻技术，存储容量高达153Mbit，晶体管数目达到10亿个，芯片面积119平方毫米。由6个晶体管组成的SRAM存储单元的面积为0.346平方微米，大约相当于65纳米工艺的存储单元面积的一半，这也意味着采用45纳米工艺的产品单晶体管成本将更加低廉。
在性能上，45纳米工艺的晶体管也获得了很大进步。与65纳米工艺的产品相比，它的漏电量减少为五分之一，晶体管开关切换速度提高20%，工作电流将减少30%，因此它将具有更好的节能效果和更高的性能。
5. 3微米光刻机
东汉没有造出高端光刻机。高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。
国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的高端光刻机）和日本Canon三大品牌为主。