掩膜版光刻机(光刻机掩膜板供应商)

海潮机械 2023-02-08 14:10 编辑:admin 239阅读

1. 光刻机掩膜板供应商

不是,其实我国早在上个世纪60年代就开始研究光刻机,并且在1965年就研制出65型接触式光刻机。70年代开始,中国科学院就开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。1980年中国清华大学研制的第四代分布式投影光刻机获得成功,将光刻精度缩小至3微米。别看3微米相比如今7nm的制程工艺相差甚远,但在那个年代已经接近国际主流水平

2. 光刻板和掩膜板

光刻机可以理解成是微电子领域用的类似摄影用底片制作照片的机械。其工作原理就是首先对硅片涂保护层,一般是氧化层,然后涂光刻胶,通过光刻板有选择地对硅片曝光,然后通过化学手段清除需要清除的部分留下保护层,最后再通过化学手段将没有受到光刻胶保护的氧化层清除得到一个氧化层的保护膜的图形。这就算完成了一次光刻工序。

一个集成电路或者晶体管需要多次光刻:刻出留给扩散的窗口、留给布线的窗口,留给键合引线的窗口包括各个器件之间绝缘的窗口等等。

一片硅片制造成功集成电路需要至少数次甚至几十次光刻才能实现。简单点说光刻的本质就是图形复制。

3. 光刻机掩膜板的制造

背景技术:

镜头是将拍摄景物在传感器上成像的器件,相当于相机的“眼睛”,通常由几片透镜组成,光线通过时,镜片们会层层过滤杂光(红外线等),所以,镜头片数越多,成像就越真实。目前对焦镜头里,都是使用凸透镜和凹透镜的组合,利用光的折射原理,把光导到传感器的成像面上。为了更加镜头解析力与对比度并保证画面质量,给镜头的片数和结构带来了一定的限制,导致镜头的厚度无法做薄,不满足当前设备的轻薄要求。

技术实现要素:

有鉴于此,本发明实施例为解决现有技术中存在的问题而提供一种光刻镜片的制作方法和镜头。

本发明实施例的技术方案是这样实现的:

一方面,本发明实施例提供一种光刻镜片的制作方法,所述方法包括:

在基材的表面上涂覆光刻材料;

利用光刻掩膜板对光刻材料进行刻蚀;其中,所述光刻掩膜板上具有多个具有预设的形状的掩膜图形,在每一所述掩膜图形上不同位置的透光率不同;

对刻蚀后的光刻材料进行固化处理,得到光刻镜片。

另一方面,本发明实施例提供一种镜头,所述镜头至少包括沿物方到镜方共轴设置的第一镜片、第二镜片和第三镜片,其中:

第一镜片用于将入射光线进行聚光;

第二镜片用于将经过所述第一镜片的入射光进行均匀发散,形成平行于轴向的光;

第三镜片用于将经过第二镜片的入射光进行聚光,使得聚光后的光线照射到感光芯片。

本发明实施例提供一种光刻镜片的制作方法和镜头,其中,首先在基材的表面上涂覆光刻材料;利用光刻掩膜板对光刻材料进行刻蚀;其中,所述光刻掩膜板上具有多个具有预设的形状的掩膜图形,在每一所述掩膜图形上不同位置的透光率不同;对刻蚀后的光刻材料进行固化处理,得到光刻镜片;如此,能够利用光刻技术做出具有一个个小槽的光刻镜片,从而利用小槽引导光路,进而能够减少镜头中镜片的片数,降低镜头的高度。

4. 光刻机材料供应商

要的。光刻机的金属零件、镙丝是铸造件。

铸造件,是指通过铸造工艺生产出的产品。

所谓铸造是将液体金属浇铸到与零件形状相适应的铸造空腔中,待其冷却凝固后,以获得零件或毛坯的生产方法。

光刻机被誉为“全人类最高科技的结晶”,生产一台光刻机需要10多万个零件,这些零件来自全球各国5000多家供应商,例如来自德国的蔡司镜头、日本的JSR光刻胶、德国的光库光源等等。所以我们想要自己制造出一台所有零件都是完全自研的光刻机是很难的。

铸造件,是指通过铸造工艺生产出的产品。

所谓铸造是将液体金属浇铸到与零件形状相适应的铸造空腔中,待其冷却凝固后,以获得零件或毛坯的生产方法。

5. 中国光刻掩膜板企业

   衡阳地区没有光刻机相关生产工厂。

  光刻机(lithography)又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。

   国内唯一能够生产光刻机的企业(上海微电子)在上海。

6. 无掩膜光刻技术

1.双工件台华卓精科自2012年成立,用了10年的时间,在双工件台技术方面,取得了重大突破。2016年,华卓精科与清华大学共同研制出两套光刻机双工件台掩膜台系统α样机,并成功通过验收。2020年4月,华卓精科向上海微电子发货首台DWS双工件台,应用制程达到65nm;2021年6月,完成28nm制程ArFi光刻机的DWSi系列双工件台的详细设计,已在样机制造集成调试阶段。这项技术的重要性,不言而喻,加上华卓精科全世界只有两家拥有该技术。因此,攻破双工件台技术的壁垒,不仅打破了国外的技术垄断,更为国产光刻机的研发提供了技术保证。

2.光源系统技术国内研究光刻机的光源系统技术,属北京科益虹源最为成熟,也成功掌握了193nm ArF准分子激光器制造,可用于28nmDUV光刻机上。

7. 无掩膜直写式光刻设备

激光直写是利用强度可变的激光束对基片表面的抗腐蚀材料实施变剂量曝光,显影后在抗腐蚀层表面形成所要求的浮雕轮廓,激光直写系统的基本工作原理是由计算机控制高精度激光束扫描,在光刻胶上直接曝光写出所设计的任意图形,从而把设计图形直接转移到掩模上。