一、光刻机的波长与线宽
光刻机分辨率=k1*λ/NA
k1是常数，不同的光刻机k1不同，λ指的是光源波长，NA是物镜的数值孔径，所以光刻机的分辨率就取决于光源波长及物镜的数值孔径，波长越短越好，NA越大越好，这样光刻机分辨率就越高，制程工艺越先进。
二、光刻 波长
EUV极紫外光刻（Extreme Ultra-Violet）是一种使用极紫外（EUV）波长的新一代光刻技术，其波长为13.5纳米。由于光刻精度是几纳米，EUV对光的集中度要求极高，相当于拿个手电照到月球光斑不超过一枚硬币。反射的镜子要求长30cm起伏不到0.3nm，相当于北京到上海的铁轨起伏不超过1毫米。一台EUV光刻机重达180吨，超过10万个零件，需要40个集装箱运输，安装调试要超过一年时间。
三、光刻机波长与线条的关系
在晶圆制造中能用到的光刻机有两种，一种是步进重复式光刻机，一种是步进扫描式光刻机，后者最为常用，步进扫描式光刻机技术的应用始于20世纪90年代，通过配置不同波长的光源，可用于不同工艺技术节点，光源波长有g线436nm，i线365nm，Krf248nm，Arf193nm，和最先进的13.5nm的EUV光源，所以说光刻机分类中没有所谓的65nm光刻机！
四、光刻机的波长是多少
芯片的波长为1-10毫米的电磁波，或者30~300GHz频域的电磁波，毫米波位于微波与远红外波相交叠的波长范围，因而兼有两种波谱的特点。
根据波的传播理论，频率越高，波长越短，分辨率越高，穿透能力越强，但在传播过程的损耗也越大，传输距离越短；相对的，频率越低，波长越长，绕射能力越强，传输距离越远。所以与微波相比，毫米波的分辨率高、指向性好、抗干扰能力强和探测性能好。与红外相比，毫米波的大气衰减小、对烟雾灰尘具有更好的穿透性、受天气影响小。这些特质决定了毫米波雷达具有全天时全天候的工作能力。
五、光刻机的波长与线宽是多少
掩模尺寸：最大7英寸；
- 样品尺寸：最大6英寸；
- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；
- 紫外光源：6.25“ X 6.25“；
- 光源功率：350瓦紫外灯；
- 光源均匀性：<+/-3%；
- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；
- 显微镜：双显微镜系统；
- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；
- 显微镜物镜空间：50-150mm；
- 标配放大倍率：80X-400X；
- 显示器：20“ LCD；
- 曝光时间：0.1-999秒；
- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；
- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；
- 电源：220V，单相，15安培；