一、光电光刻机
集中了美国、德国、日本、荷兰等国家的顶尖技术。
光刻机作为全球最顶尖的大型光电设备，集合了很多国家的顶尖技术。光刻机核心零部件的镜头和光源都是来源于欧美国家，其中镜头来德国蔡司，光源美国的cymer。另外湾有4家企业是ASML的主要供应商之一。荷兰阿斯麦尔光刻机前17大供应商主要集中在欧盟，美国，日本以及湾，其中美国占了9家，湾占了4家，日本占了3家，德国占了一家
二、光子光刻机
DUV光刻机同EUV光刻机相比，二者还是有着不小的差距。在光源、光路系统与镜头三大方面，二者有着很大的不同。
首先，二者发光原理不同。
DUV光刻机光源为准分子激光，而EUV光刻机则是激光激发等离子来发射EUV光子。通过不同方式，二者发出的光源也不同。其中，DUV光刻机的波长能达到193纳米，而EUV光源的波长则为13.5纳米。
二者之间的差距十分明显，波长越短，所能实现的分辨率越高。这让EUV光刻机能够承担高精度芯片的生产任务。
三、光刻机科技
其实光刻机极限已经快到了，因为硅这种材料的极限在1纳米左右，如果想要超越1nm,那就得换材料了，但是目前地球上已经发现的材料中，没有比硅更适合的了，所以末来十年都很难超越1nm工艺，除非科学家能发现一种新材料，当然，这种可能很小。
超越1nm很难，那么达到1nm呢？目前要想达到1nm，目前当芯片内部线宽窄到3nm，电路中用于导电的铜线之间的间距太小，就会发生短路，所以说达到1nm都很难，只能寄希望于量子技术的突破了。
四、最新光刻机技术
大多数是美国、荷兰、德国、日本等国的。
光刻机是种非常复杂的光电、机械、化学、物理等科学领域技术构成的大型设备，所以光刻机整体并没有专利技术，只要有能力就可以制造，但是涉及到其中的零件或零件组及一些制造应用技术就有专利权了。目前大多数专利在美国、荷兰、德国、日本、韩国等国手里，比如在EUV光刻技术专利最早优先权国家/地区的对比中，日本占比为45.5%，排第一位，美国占比为30.27%，排第二位，第三位为德国，占比13.5%。
五、光刻机简介
光刻机中国能制造，但是精度不如国外。 中国科学院成都光机所和四十五所，能制造接近接触式光刻机。 上海微电子装备有限公司能够制造投影式光刻机。在LED、IC后道和平板显示的微米级光刻机都有不少销量。IC前道光刻机分辨力要求较高，目前只能制造百纳米或几十纳米级别光刻机，而国外已经推出13纳米的光刻机了。 核心技术包括投影物镜、精密运动台和精密测量系统等。对于最先进的光刻机，关键的镜片、传感器和电机等依靠进口。
六、光学 光刻机
光电所微细加工光学技术国家重点实验室研制出来的SP光刻机是世界上第一台单次成像达到22纳米的光刻机，结合多重曝光技术，可以用于制备10纳米以下的信息器件。这不仅是世界上光学光刻的一次重大变革，也将加快推进工业4.0，实现中国制造2025的美好愿景。