1. 浸润式光刻
沉浸式光刻机是台积电林本坚提出的。
沉浸式光刻机技术是台积电的林本坚提出的。2002年，时任台积电光刻技术研发负责人的林本坚提出了一项构想，即利用水做介质的浸润式光刻。原理是利用光通过液体介质时会弯折的特性，显微镜的影像透过浸湿的镜头会进一步放大。相反地，当光线通过浸在液体中的微缩影镜头时，就能将影像藉由折射率进一步缩小。林本坚认为市面上既有的193nm微影透过水折射的效果要比正在攻克的157nm效果会好得多。
2. 浸润式光刻方案
可以制作的芯片精细程度不同。激光光源决定了波长，波长会影响线宽，因此现在7nm的制作基本依赖于多重曝光，但是90nm基本上不需要，可以采用更长波长的光源多重曝光，也可以用EUV再进行浸润式光刻。
因为制程差距太大，所以在精度上的需求也相差很多，设备的制作难度可能是指数级的差距。
3. 浸润式光刻机谁发明的
0.1nm光刻机是目前无法实现的。
以目前最高端的euv光刻机来说，最小的极限就是趋近于1nm，这是物理极限。而0.1nm就是原子本身的物理尺寸。以现在的技术手段和硬件设备根本没法实现原子排序。从193nm水层浸润式光刻机到13.5nm锡滴技术光刻机，实际上是在物理结构走到了极限。要想实现0.1nm这种原子等级的集成电路，必须要有新一代技术及新材料才有可能，可惜目前还没有。
4. 浸润式光刻机小说网
浸没式光刻技术需要在光刻机投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片上的光刻胶之间充满高折射率的液体。
浸没式光刻机工作时并不是把晶圆完全浸没在水中，而只是在曝光区域与光刻机透镜之间充满水。
光刻机的镜头必须特殊设计，以保证水随着光刻机在晶圆表面做步进-扫描运动，没有泄露;水中没有气泡和颗粒。在193nm波长下，水的折射率是1.44，可以实现NA大于1。
5. 浸润式光刻技术
尼康和佳能光刻机能达到22纳米。
尼康和佳能的光刻机使用的是第四代光源技术，既193纳米深紫外光光源，但佳能和尼康当初走的是干法光刻技术，最终只能做到145纳米而停滞不前，同样一个时代的荷兰阿斯麦尔另辟蹊径用湿法光刻制作了浸润式光刻机，精度大大提高，所以走了弯路的尼康和佳能在技术上落后阿斯麦尔一整代。