1. 国内光刻机最高多少纳米
7纳米是duv光刻机的极限。
duv光刻机的极限是7纳米，真正掌握7纳米技术的仅有台积电和三星两家。7纳米是一个非常关键的节点，它是DUV光刻机所能达到的极限。从7nm开始，EUV光刻机将成为必须。没有EUV光刻机，将无法再进行下一代工艺的研发。像英特尔也推出了7纳米芯片，但这是EUV光刻机做的。所以全球顶尖芯片制造商用duv光刻机只能达到7纳米制程。
2. 中国光刻机是多少纳米
中国3nm光刻机是假消息。
目前中国光刻机量产型为上海微电子的90nmduv浸润式光刻机，该公司28nmduv浸润式光刻机已经设计定型并处于实验状态，预计年内能达到量产状态。该机型通过n+1技术使芯片制程达到10nm精度。但要知道euv才是高端光刻机，duv只是中低端机型。euv光源为13.5nm的极紫外光，duv光源为193nm的深紫外光，两者有质的区别。
3. 最高级光刻机多少纳米
光刻机极限是1纳米。
现有芯片制造的原材料是硅，也就是我们常说的硅芯片。一块非常小的芯片实际上整合了数以亿计的晶体管，每个晶体可看作是一个可控的电子开关，晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成，电流从源极流入漏极，栅极则起到控制电流通断的作用，从而产生0 1数字信号，在目前的芯片中，连接晶体管源极和漏极的是硅元素。
然而随着晶体管尺寸的不断缩小（目前已到5nm），源极和栅极间的沟道也在不断缩短，当沟道缩短到一定程度的时候，量子隧穿效应就会变得极为容易，换言之，就算是没有加电压，源极和漏极都可以认为是互通的，那么晶体管就失去了本身开关的作用，因此也没法实现逻辑电路。
4. 国内最好的光刻机是多少纳米
荷兰最好的光刻机是阿斯麦尔公司生产的High-NA量产型EUV光刻机EXE:5200，价值3.4亿美元。
英特尔宣布向荷兰光刻机制造商ASML预订了一台仍在设计中的顶级EUV光刻机，为业界首家。这台光刻机型号为High-NA量产型EUV光刻机EXE:5200，是业界最强的光刻机。
据悉，由于台积电、三星、英特尔三大巨头在晶圆制造领域的竞争，导致EUV光刻机需求大增。同时，这款瞄准下一代3nm/2nm级别工艺的High-NA量产型EUV光刻机，堪称天价。
台湾媒体消息称，英特尔预定的这台光刻机，价格达到3.4亿美元，是历史上最昂贵的光刻机。
5. 国内光刻机最高多少纳米的
日本尼康光刻机最高分辨力是13.5纳米